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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29LV400B |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 的CMOS 4分（為512k × 8/256K × 16）Falsh存儲(chǔ)器（為512k × 8/256K × 16位單5V的電源電壓閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 28/51頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 334K |
| 代理商： | MBM29LV400B |
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28
MBM29LV400T/MBM29LV400B
Write/Erase/Program Operations
Alternate WE Controlled Writes
(Continued)
Parameter Symbols
Description
-10
-12
-15
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min.
100
120
150
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min.
50
50
65
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min.
50
50
65
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min.
0
0
0
ns
—
t
OES
Output Enable Setup Time
Min.
0
0
0
ns
—
t
OEH
Output
Enable
Hold Time
Read
Min.
0
0
0
ns
Toggle and Data Polling
Min.
10
10
10
ns
C
L
3.3 V
Diodes = IN3064
or Equivalent
2.7 k
Device
Under
Test
IN3064
or Equivalent
6.2 k
Notes:
C
L
= 30 pF including jig capacitance (MBM29LV400T-10, B-10)
C
L
= 100 pF including jig capacitance (MBM29LV400T-12, -15/B-12, -15)
Figure 4 Test Conditions
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV400T | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29LV400TC-90 | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400TC-90PBT | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400TC-90PF | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400TC-90PFTN | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV400BC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12PBT | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12PCV | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12PF | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
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