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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29PL160BD-75PFTR |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M (2M x 8/1M x 16) BIT |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 75 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 28/51頁(yè) |
| 文件大小： | 591K |
| 代理商： | MBM29PL160BD-75PFTR |
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28
MBM29PL160TD
-75/-90
/MBM29PL160BD
-75/-90
Write (Erase/Program) Operations
Notes:
1. This does not include the preprogramming time.
2. This timing is for Sector Protection operation.
Parameter Symbols
Description
MBM29PL160TD/BD
Unit
JEDEC
Standard
-75
-90
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min.
75
90
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min.
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min.
45
45
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min.
35
45
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min.
0
0
ns
—
t
OES
Output Enable Setup Time
Min.
0
0
ns
—
t
OEH
Output Enable
Hold Time
Read
Min.
0
0
ns
Toggle and Data Polling
Min.
10
10
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recover Time Before Write
(OE High to CE Low)
Min.
0
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE Setup Time
Min.
0
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE Setup Time
Min.
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE Hold Time
Min.
0
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE Hold Time
Min.
0
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min.
35
35
ns
t
ELEH
t
CP
CE Pulse Width
Min.
35
35
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min.
20
30
ns
t
EHEL
t
CPH
CE Pulse Width High
Min.
20
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation
Byte
Typ.
8.6
8.6
μs
Word
12.6
12.6
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 1)
Typ.
4.8
4.8
sec
—
t
EOE
Delay Time from Embedded Output Enable
Max.
75
90
ns
—
t
VCS
V
CC
Setup Time
Min.
50
50
μs
—
t
VLHT
Voltage Transition Time (Note 2)
Min.
4
4
μs
—
t
WPP
Write Pulse Width (Note 2)
Min.
100
100
μs
—
t
OESP
OE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
4
μs
—
t
CSP
CE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
4
μs
—
t
RB
Recover Time From RY/BY
Min.
0
0
ns
—
t
FLQZ
BYTE Switching Low to Output HIGH-Z
Max.
30
30
ns
—
t
FHQV
BYTE Switching High to Output Active
Min.
40
30
ns
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PDF描述 |
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