參數(shù)資料
型號： MBM29PL160BD-75PFTR
廠商： FUJITSU LTD
元件分類： DRAM
英文描述： 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
中文描述： 1M X 16 FLASH 3V PROM, 75 ns, PDSO48
封裝： PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
文件頁數(shù)： 46/51頁
文件大小： 591K
代理商： MBM29PL160BD-75PFTR
46
MBM29PL160TD
-75/-90
/MBM29PL160BD
-75/-90
I
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
I
PIN CAPACITANCE
Note:
Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
Parameter
Limits
Unit
Comments
Min.
Typ.
Max.
Sector Erase Time
—
4.8
60
sec
Excludes programming time
prior to erasure
Byte Programming Time
—
8.6
300
μs
Excludes system-level
overhead
Word Programming Time
—
12.6
360
Chip Programming Time
—
18
140
sec
Excludes system-level
overhead
Erase/Program Cycle
100,000
—
—
cycles
—
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
6.0
7.5
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8.5
12.0
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
8.0
11.5
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBM29PL160BD-90 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29PL160BD-90PF 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29PL160BD-90PFTN 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29PL160BD-90PFTR 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29PL160BD 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
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參數(shù)描述
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