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參數資料
| 型號： | MBM29PL160BD-90PF |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M (2M x 8/1M x 16) BIT |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO44 |
| 封裝： | PLASTIC, SOP-44 |
| 文件頁數： | 26/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 591K |
| 代理商： | MBM29PL160BD-90PF |
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26
MBM29PL160TD
-75/-90
/MBM29PL160BD
-75/-90
I
DC CHARACTERISTICS
Notes:
1. The l
CC
current listed includes both the DC operating current and the frequency dependent component.
2. l
CC
active while Embedded Erase or Embedded Program is in progress.
3. Automatic sleep mode enables the low power mode when address remain stable for 150 ns.
4. Applicable for only sector protection.
5. The input voltage must be input after Vcc is valid.
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Conditions
Min.
Max.
Unit
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= V
SS
to V
CC
, V
CC
= V
CC
Max.
–1.0
+1.0
μA
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= V
SS
to V
CC
, V
CC
= V
CC
Max.
–1.0
+1.0
μA
I
LIT
A
9
, OE, RESET Inputs Leakage
Current
V
CC
= V
CC
Max.,
A
9
, OE = 12.5 V
—
35
μA
I
CC1
V
CC
Active Current (Note 1)
CE = V
IL
, OE = V
IH
f = 10 MHz
—
70
mA
CE = V
IL
, OE = V
IH
f = 5 MHz
—
40
mA
I
CC2
V
CC
Active Current (Note 2)
CE = V
IL
, OE = V
IH
—
35
mA
I
CC3
V
CC
Current (Standby)
V
CC
= V
CC
Max., CE = V
CC
±
0.3 V,
—
5
μA
I
CC4
V
CC
Current
(Automatic Sleep Mode) (Note 3)
V
CC
= V
CC
Max., CE = V
SS
±
0.3 V,
V
IN
= V
CC
±
0.3 V or V
SS
±
0.3 V
—
5
μA
I
CC5
V
CC
Active Current
(Page Read Mode)
CE = V
IL
, OE = V
IH
30MHz
—
12
mA
40MHz
—
15
mA
V
IL
Input Low Level
—
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Level (Note 5)
—
2.0
5.5
V
V
ID
Voltage for Autoselect,Sector
Protection (A
9
, OE) (Note 4, 5)
—
11.5
12.5
V
V
OL
Output Low Voltage Level
I
OL
= 4.0 mA, V
CC
= V
CC
Min.
—
0.45
V
V
OH1
Output High Voltage Level
I
OH
= –2.0 mA, V
CC
= V
CC
Min.
2.4
—
V
V
OH2
I
OH
= –100 μA
V
CC
– 0.4
—
V
V
LKO
Low V
CC
Lock-Out Voltage
—
2.3
2.5
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29PL160BD-90PFTN | 16M (2M x 8/1M x 16) BIT |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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