參數(shù)資料
型號: MBRD1040-T
廠商: DIODES INC
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: 10A LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
中文描述: 10 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝: PLASTIC, DPAK-3
文件頁數(shù): 3/3頁
文件大?。?/td> 62K
代理商: MBRD1040-T
DS30282 Rev. 3 - 2
3 of 3
MBRD1040
0
1
2
3
5
4
6
7
8
0
1.5
4.5
3
6
7.5
9 10.5 12 13.5 15
P
,
F
I
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
Fig. 5 Forward Power Dissipation (Per Element)
F(AV)
T = 150°C
Note 7
Note 6
DC
N
Notes: 3. T
A
= T
SOLDERING POINT
, R
JC
= 6.0 C/W, R
CA
= 0 C/W.
4. Device mounted on GETEK substrate, 2”x2”, 2 oz. copper, double-sided, cathode pad dimensions 0.75” x 1.0”, anode pad
dimensions 0.25” x 1.0”. R
JA
in range of 15-30°C/W.
5. Device mounted on FR-4 substrate, 2”x2”, 2 oz. copper, single-sided, pad layout as per Diodes Inc. suggested pad layout
document AP02001 which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf. R
JA
in range of
60-75°C/W.
6. Maximum power disspiation when the device is mounted in accordance to the conditions described in Note 5.
7. Maximum power disspation when the device is mounted in accordance to the conditions described in Note 4.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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