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    參數(shù)資料
    型號(hào)： MBT3946DW1T1
    廠商： ON SEMICONDUCTOR
    元件分類： 功率晶體管
    英文描述： Dual General Purpose Transistor
    中文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    封裝： CASE 419B-02, SC-88, 6 PIN
    文件頁(yè)數(shù)： 9/10頁(yè)
    文件大小： 422K
    代理商： MBT3946DW1T1
    LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
    MBT3904–9/12
    5.0
    4.0
    3.0
    2.0
    1.0
    0
    N
    MBT3906DW1T1 (PNP)
    TYPICAL AUDIO SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
    NOISE FIGURE VARIATIONS
    (V = –5.0 Vdc, T = 25°C, Bandwidth = 1.0 Hz)
    N
    f,FREQUENCY (kHz)
    Figure 25. Noise Figure
    R
    S
    , SOURCE RESISTANCE (k
    )
    Figure 26. Noise Figure
    0.1
    0.2
    0.4
    1.0
    2.0
    4.0
    10
    20
    40
    100
    12
    10
    8
    6
    4
    2
    0
    0.1
    0.2
    0.4
    1.0
    2.0
    4.0
    10
    20
    40
    100
    MBT3904DW1T1, MBT3906DW1T1, MBT3946DW1T1
    h
    i
    ,
    h
    f
    ,
    h
    o
    ,
    μ
    m
    h
    r
    ,
    –
    )
    300
    200
    100
    70
    50
    30
    0.1
    0.2
    0.3
    0.5
    1.0
    2.0
    3.0
    5.0
    10
    1.0
    7.0
    5.0
    3.0
    2.0
    1.0
    0.7
    0.5
    100
    50
    20
    10
    5
    2
    1
    0.1
    0.2
    0.3
    0.5
    1.0
    2.0
    3.0
    5.0
    10
    I
    C
    , COLLECTOR CURRENT (mA)
    Figure 27. Current Gain
    I
    C
    , COLLECTOR CURRENT (mA)
    Figure 28. Output Admittance
    0.1
    0.2
    0.3
    0.5
    1.0
    2.0
    3.0
    5.0
    10
    0.1
    0.2
    0.3
    0.5
    1.0
    2.0
    3.0
    5.0
    10
    20
    10
    5.0
    2.0
    1.0
    0.5
    0.2
    I
    C
    , COLLECTOR CURRENT (mA)
    Figure 29. Input Impedance
    I
    C
    , COLLECTOR CURRENT (mA)
    Figure 30. Voltage Feedback Ratio
    h PARAMETERS
    (V
    CE
    = –10 Vdc, f = 1.0 kHz, T
    A
    = 25°C)
    相關(guān)PDF資料
    PDF描述
    MBT3946DW1T1G Dual General Purpose Transistor
    MBT3946DW1T2 Dual General Purpose Transistor
    MBT3946DW1T2G Dual General Purpose Transistor
    MC-4216LFC721 3.3 V Operation 8M-Word By 72-Bit Dynamic RAM Module(工作電壓為3.3V的動(dòng)態(tài)RAM模塊)
    MC-4216LFC72 3.3 V Operation 8M-Word By 72-Bit Dynamic RAM Module(工作電壓為3.3V的動(dòng)態(tài)RAM模塊)
    相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
    參數(shù)描述
    MBT3946DW1T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
    MBT3946DW1T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
    MBT3946DW1T2 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
    MBT3946DW1T2G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
    MBT42N 制造商:APEM 功能描述:Switch Slide 4PDT Extended Top Slide 0.3A 125VAC 30VDC PC Pins Bracket Mount/Through Hole
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