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參數(shù)資料
| 型號： | MC1413B |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays(高電壓，大電流的達林頓晶體管陣列) |
| 中文描述： | 高電壓，大電流達林頓晶體管陣列（高電壓，大電流的達林頓晶體管陣列） |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | MC1413B |
MC1413, MC1413B, NCV1413B
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C, unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Output Leakage Current
(V
O
= 50 V, T
A
= +85
°
C)
(V
O
= 50 V, T
A
= +25
°
C)
All Types
All Types
I
CEX
100
50
A
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 350 mA, I
B
= 500 A)
(I
C
= 200 mA, I
B
= 350 A)
(I
C
= 100 mA, I
B
= 250 A)
All Types
All Types
All Types
V
CE(sat)
1.1
0.95
0.85
1.6
1.3
1.1
V
Input Current On Condition
(V
I
= 3.85 V)
MC1413, B
I
I(on)
0.93
1.35
mA
Input Voltage On Condition
(V
CE
= 2.0 V, I
C
= 200 mA)
(V
CE
= 2.0 V, I
C
= 250 mA)
(V
CE
= 2.0 V, I
C
= 300 mA)
MC1413, B
MC1413, B
MC1413, B
V
I(on)
2.4
2.7
3.0
V
Input Current Off Condition
(I
C
= 500 A, T
A
= 85
°
C)
All Types
I
I(off)
50
100
A
DC Current Gain
(V
CE
= 2.0 V, I
C
= 350 mA)
h
FE
1000
Input Capacitance
C
I
15
30
pF
TurnOn Delay Time
(50% E
I
to 50% E
O
)
t
on
0.25
1.0
s
TurnOff Delay Time
(50% E
I
to 50% E
O
)
t
off
0.25
1.0
s
Clamp Diode Leakage Current
(V
R
= 50 V)
T
A
= +25
°
C
T
A
= +85
°
C
I
R
50
100
A
Clamp Diode Forward Voltage
(I
F
= 350 mA)
V
F
1.5
2.0
V
NOTE:
NCV1413B T
low
= 40
°
C, T
high
= +125
°
C. Guaranteed by design. NCV prefix is for automotive and other applications requiring
site and change control.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC14504B | Hex Level Shifter for TTL to CMOS or CMOS to CMOS(6電平轉換器（TTL到CMOS或CMOS到CMOS）) |
| MC14515B | 4 Bit Transparent Latch/4 to 16 Line Decoder(4位鎖存/4-16線譯碼器) |
| MC14516B | Binary Up/Down Counter(二進制雙向計數(shù)器) |
| MC14517B | Dual 64 Bit Static Shift Register(雙64位移位寄存器) |
| MC14520B | Dual Up Counters(雙BCD計數(shù)器) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MC1413BD | 功能描述:達林頓晶體管 High Voltage High RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MC1413BDG | 功能描述:達林頓晶體管 High Voltage High Current Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MC1413BDG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Transistor Array IC |
| MC1413BDR2 | 功能描述:達林頓晶體管 High Voltage High RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MC1413BDR2G | 功能描述:達林頓晶體管 High Voltage High Current Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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