參數(shù)資料
型號： MC33389DDW
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 48/49頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC SYSTEM BASE W/CAN 28-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
控制器類型： 系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片
接口： CAN
電源電壓： 5.5 V ~ 18 V
電流 - 電源： 45mA
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 28-SOIC W
包裝： 管件
Analog Integrated Circuit Device Data
8
Freescale Semiconductor
33389
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Table 4. Static Electrical Characteristics
Characteristics noted under conditions VBAT, -40°C ≤ TA ≤ 125°C unless otherwise noted. Typical values noted reflect the
approximate parameter means at TA = 25°C under nominal conditions unless otherwise noted.
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
POWER INPUT (VBAT)
Nominal VBAT Operating Range
VBAT
5.5
—
18
V
Functional VBAT Operating Range
VBAT
5.5
—
27
V
VBAT Threshold for BATFAIL Flag
BATFAIL
2.0
—
4.0
V
Delay for Signalling BATFAIL
TFAIL
—
150
400
s
Overvoltage VBAT Threshold
BATHIGH
18
20
22
V
Delay for Setting BATHIGH Flag
THIGH
4.0
18
50
s
Supply Current in Sleep Mode
Forced Wake-Up and Cyclic Sense Disabled
VBAT = 12 V, TJ = 25°C to 150°C
ISLEEP1
—
75
125
A
Supply Current in Sleep Mode
Forced Wake-Up and Cyclic Sense Disabled
VBAT = 12 V, TJ = -40°C to 25°C
ISLEEP2
—
210
A
Supply Current in Sleep Mode
Forced Wake-Up and Cyclic Sense Enabled
VBAT = 12 V, TJ = 25°C to 150°C
ISLEEP3
—
105
155
A
Supply Current in Sleep Mode
Forced Wake-Up and Cyclic Sense Enabled
VBAT = 12 V, TJ = -40°C to 25°C
ISLEEP4
—
250
A
Supply Current in Sleep Mode
Forced Wake-Up and Cyclic Sense Disabled
VBAT = 12 V, TJ = 25°C to 150°C
ISLEEP5
—
300
A
Supply Current in Stand-by Mode
ISTB2
—
0.5
1.0
mA
Supply Current in Normal Mode
Normal Mode with I(V1) = 1 I(V2) = 0
Bus in Recessive State
INREC
—
3.5
7.0
mA
POWER OUTPUT
V1 Output Voltage
0 mA < IOUT < 100 mA
5.5 V < VBAT < 27 V
V1NOM
4.85
5.0
5.15
V
V1 Output Voltage
IOUT =< 100 mA
27 V < VBAT < 40 V
V1
4.8
5.0
5.2
V
V1 Drop Voltage
IOUT =< 100 mA
V1DROP
—
0.35
0.5
V
Notes
6.
Measured when V1 has dropped 100mV below its nominal value
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