參數(shù)資料
型號： MC33399
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： “Local Interconnect Network” Physical Interface(“本地互聯(lián)網(wǎng)”（LIN）物理接口)
中文描述： “本地互連網(wǎng)絡(luò)”物理接口（“本地互聯(lián)網(wǎng)”（林）物理接口）
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 282K
代理商： MC33399
MC33399
Automotive “Local Interconnect Network” Physical Interface
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3
Pull-up Current Source
Is
-50
-25
uA
1v <V(Tx) < 4v
Enable Input Pin (Logic)
Low Level Voltage Input
Vil
1.5
V
High Level Voltage Input
Vih
3.5
V
Input Threshold Hysteresis
Vinhyst
50
400
mV
Low Level Input Current (Vin 1V)
Iil
10
20
uA
High Level Input Current (Vin = 4V)
Iih
20
40
uA
Pull-down Current
Idw
20
uA
1V<EN<4V
LIN Bus Pin (Voltage Expressed versus Vsup Voltage)
Low Level Voltage (Tx low, Iout =40mA)
Vlin-low
0
1.4
V
Dominant state
High Level Voltage (Tx high, Iout = 10uA)
Vlin-high
V
SUP
-1V
20
V
Recessive state
Pull up Resistor to Vsup (NOTE 1)
Ipu
30
40
kohms
Current Limitation (Tx low, LIN = Vsup)
Ilim
50
200
mA
Leakage Current to GND (NOTE 1)
Ileak1
0
10
uA
Recessive state, Vlin from
Vsup-0.5V to +VBAT
Leakage Current to GND,
Vsup Disconnected
Ileak2
-40
40
uA
Vsup disconnected
Vlin from -18 to +18V
Excluding internal pull up
source
Leakage Current to GND,
Vsup Disconnected
VLin at -18V
Ileak3
-600
uA
Vsup disconnected
Vlin from -18V
Including internal pull up
source
Leakage Current to GND
Vsup Disconnected
VLin at +18V
Ileak4
25
uA
Vsup disconnected
Vlin from +18V
Including internal pull up source
Lin Receiver Vil (Tx high, Rx low)
Lin-vil
0
0.4V
SUP
V
SUP
Lin Receiver Vih (Tx high, Rx high)
Lin-vih
0.6 V
SUP
LIN Receiver Threshold
Vsup/2
V
LIN Receiver Input Hysteresis
LIN hyst
0.05V
SUP
0.1 V
SUP
V
Inhibit Output Pin
High Level Voltage
Vwuh
V
SUP
-0.8
0
V
SUP
5
V
Normal mode
Leakage Current
Ileak
uA
Sleep mode
0<Vinh <Vsup
WAKE Pin
Typical Wake Up Threshold (EN = 0V),
High to Low Transition, V
SUP
=7V to 18V.
NOTE 2.
Wu
threshl
0.44 V
SUP
V
Typical Wake Up Threshold (EN = 0V),
Low To High Transition, V
SUP
=7V to 18V.
NOTE 2.
Wu
threslh
0.57 V
SUP
V
Wake Up Threshold Hysteresis
Wu
hyst
Wu
hl
500
mV
Wake Up Threshold, High to Low
Transition at V
SUP
=12V
Wake Up Threshold, Low To High
Transition at V
SUP
=12V
Wake Input Current (V<14V)
3.6
6.5
V
Wu
lh
6.2
7.5
V
Win1
tbd
20
μ
A
μ
A
V<14V
Wake Input Current (V>14V)
Win2
100
V<27V
NOTE:
1: A diode structure is inserted with the pull resistor to avoid parasitic current path from LIN to Vsup
2. When VSUP is greater than 18V, the wake up thresholds remain identical to the wake up thresholds at 18V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
( VSUP
=
FROM
7
TO
18V, and T
J
FROM
-40
TO
150
°
C
UNLESS
OTHERWISE
NOTED
)
Description
Symbol
Characteristics
Unit
Conditions
Min
Typ
Max
F
Freescale Semiconductor, Inc.
n
.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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