AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (VCC =" />
參數(shù)資料
型號(hào)： MC33502DR2G
廠商： ON Semiconductor
文件頁數(shù)： 11/15頁
文件大小： 0K
描述： IC OPAMP DUAL R-R 1V 8SOIC
產(chǎn)品變化通告： Product Obsolescence 29/Oct/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
系列： SMARTMOS™
放大器類型： 通用
電路數(shù)： 2
輸出類型： 滿擺幅
轉(zhuǎn)換速率： 3 V/µs
增益帶寬積： 5MHz
電流 - 輸入偏壓： 0.04pA
電壓 - 輸入偏移： 500µV
電流 - 電源： 1.65mA
電流 - 輸出 / 通道： 70mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 1 V ~ 7 V，±0.5 V ~ 3.5 V
工作溫度： -40°C ~ 105°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SOICN
包裝： 剪切帶 (CT)
其它名稱： MC33502DR2GOSCT
MC33502
http://onsemi.com
5
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (VCC = 5.0 V, VEE = 0 V, VCM = VO = VCC/2, TA = 25°C, unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Slew Rate (VS = ±2.5 V, VO = 2.0 to 2.0 V, RL = 2.0 kW, AV = 1.0)
SR
V/
ms
Positive Slope
2.0
3.0
6.0
Negative Slope
2.0
3.0
6.0
Gain Bandwidth Product (f = 100 kHz)
GBW
MHz
VCC = 0.5 V, VEE = 0.5 V
3.0
4.0
6.0
VCC = 1.5 V, VEE = 1.5 V
3.5
4.5
7.0
VCC = 2.5 V, VEE = 2.5 V
4.0
5.0
8.0
Gain Margin (RL =10 kW, CL = 0 pF)
Am
6.5
dB
Phase Margin (RL = 10 kW, CL = 0 pF)
φm
60
Deg
Channel Separation (f = 1.0 Hz to 20 kHz, RL = 600 W)
CS
120
dB
Power Bandwidth (VO = 4.0 Vpp, RL = 1.0 kW, THD ≤1.0%)
BWP
200
kHz
Total Harmonic Distortion (VO = 4.5 Vpp, RL = 600 W, AV = 1.0)
THD
%
f = 1.0 kHz
0.004
f = 10 kHz
0.01
Differential Input Resistance (VCM = 0 V)
Rin
>1.0
terra
W
Differential Input Capacitance (VCM = 0 V)
Cin
2.0
pF
Equivalent Input Noise Voltage (VCC = 1.0 V, VCM = 0 V, VEE = Gnd,
en
nV/
√Hz
RS = 100 W)
f = 1.0 kHz
30
Figure 2. Representative Block Diagram
Offset
Voltage
Trim
Output
Voltage
Saturation
Detector
Body
Bias
Clamp
VCC
IN
Out
IN+
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MC33503SNT1G IC OPAMP SINGLE R-R 1V 5TSOP
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MC33503SNT1G 功能描述:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 1-7V Single Rail to Rail -40 to 105 Cel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補(bǔ)償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
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