參數(shù)資料
型號： MC33502DR2G
廠商： ON Semiconductor
文件頁數(shù)： 6/15頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC OPAMP DUAL R-R 1V 8SOIC
產(chǎn)品變化通告： Product Obsolescence 29/Oct/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
系列： SMARTMOS™
放大器類型： 通用
電路數(shù)： 2
輸出類型： 滿擺幅
轉(zhuǎn)換速率： 3 V/µs
增益帶寬積： 5MHz
電流 - 輸入偏壓： 0.04pA
電壓 - 輸入偏移： 500µV
電流 - 電源： 1.65mA
電流 - 輸出 / 通道： 70mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 1 V ~ 7 V，±0.5 V ~ 3.5 V
工作溫度： -40°C ~ 105°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SOICN
包裝： 剪切帶 (CT)
其它名稱： MC33502DR2GOSCT
MC33502
http://onsemi.com
14
PACKAGE DIMENSIONS
SOIC8 NB
CASE 75107
ISSUE AH
SEATING
PLANE
1
4
5
8
N
J
X 45
_
K
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION A AND B DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006)
PER SIDE.
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL
IN EXCESS OF THE D DIMENSION AT
MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
6. 75101 THRU 75106 ARE OBSOLETE. NEW
STANDARD IS 75107.
A
B
S
D
H
C
0.10 (0.004)
DIM
A
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
4.80
5.00
0.189
0.197
MILLIMETERS
B
3.80
4.00
0.150
0.157
C
1.35
1.75
0.053
0.069
D
0.33
0.51
0.013
0.020
G
1.27 BSC
0.050 BSC
H
0.10
0.25
0.004
0.010
J
0.19
0.25
0.007
0.010
K
0.40
1.27
0.016
0.050
M
0
8
0
8
N
0.25
0.50
0.010
0.020
S
5.80
6.20
0.228
0.244
X
Y
G
M
Y
M
0.25 (0.010)
Z
Y
M
0.25 (0.010)
Z
S
X S
M
__
1.52
0.060
7.0
0.275
0.6
0.024
1.270
0.050
4.0
0.155
mm
inches
SCALE 6:1
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
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