參數(shù)資料
型號： MC908GT16CFBER
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 231/292頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 16K FLASH 8MHZ 44-QFP
標準包裝： 750
系列： HC08
核心處理器： HC08
芯體尺寸： 8-位
速度： 8MHz
連通性： SCI，SPI
外圍設備： LVD，POR，PWM
輸入/輸出數(shù)： 36
程序存儲器容量： 16KB（16K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
RAM 容量： 512 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.7 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉換器： A/D 8x8b
振蕩器型： 內部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 44-QFP
包裝： 帶卷 (TR)
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Flash Memory
MC68HC908GT16 MC68HC908GT8 MC68HC08GT16 Data Sheet, Rev. 5.0
Freescale Semiconductor
43
performed in the order as shown, but other unrelated operations may occur
between the steps.
CAUTION
A mass erase will erase the internal oscillator trim values at $FF80 and
$FF81.
2.6.5 Flash Program/Read Operation
Programming of the Flash memory is done on a row basis. A row consists of 32 consecutive bytes starting
from addresses $XX00, $XX20, $XX40, $XX60, $XX80, $XXA0, $XXC0, or $XXE0. Use the following
step-by-step procedure to program a row of Flash memory
Figure 2-4 is a flowchart of the programming algorithm.
NOTE
Only bytes which are currently $FF may be programmed.
1.
Set the PGM bit. This configures the memory for program operation and enables the latching of
address and data for programming.
2.
Read the Flash block protect register.
3.
Write any data to any Flash location within the address range desired.
4.
Wait for a time, tNVS (minimum 10 μs).
5.
Set the HVEN bit.
6.
Wait for a time, tPGS (minimum 5 μs).
7.
Write data to the Flash address being programmed(1).
8.
Wait for time, tPROG (minimum 30 μs).
9.
Repeat step 7 and 8 until all desired bytes within the row are programmed.
10.
Clear the PGM bit(1).
11.
Wait for time, tNVH (minimum 5 μs).
12.
Clear the HVEN bit.
13.
After time, tRCV (typical 1 μs), the memory can be accessed in read mode again.
NOTE
The COP register at location $FFFF should not be written between steps
5-12, when the HVEN bit is set. Since this register is located at a valid Flash
address, unpredictable behavior may occur if this location is written while
HVEN is set.
This program sequence is repeated throughout the memory until all data is programmed.
NOTE
Programming and erasing of Flash locations cannot be performed by code
being executed from the Flash memory. While these operations must be
performed in the order shown, other unrelated operations may occur
between the steps. Do not exceed tPROG maximum, see 20.20 Memory
1. The time between each Flash address change, or the time between the last Flash address programmed to clearing PGM
bit, must not exceed the maximum programming time, tPROG maximum.
相關PDF資料
PDF描述
UTS08E4S CONN RCPT SQ FLANGE 4POS W/SCKT
EGG.1B.304.CLL CONN RCPT 4POS PNL MNT SKT W/NUT
VE-B2K-IY-F4 CONVERTER MOD DC/DC 40V 50W
VE-B2K-IY-F1 CONVERTER MOD DC/DC 40V 50W
VE-B2J-IY-F1 CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
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MC908GZ16CFA 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:M68HC08 Microcontrollers
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