參數(shù)資料
型號: MC908JL8CDWE
廠商: Freescale Semiconductor
文件頁數(shù): 4/212頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC MCU 8K FLASH 8MHZ 28-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 26
系列: HC08
核心處理器: HC08
芯體尺寸: 8-位
速度: 8MHz
連通性: SCI
外圍設(shè)備: LED,LVD,POR,PWM
輸入/輸出數(shù): 23
程序存儲器容量: 8KB(8K x 8)
程序存儲器類型: 閃存
RAM 容量: 256 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 2.7 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器: A/D 13x8b
振蕩器型: 內(nèi)部
工作溫度: -40°C ~ 85°C
封裝/外殼: 28-SOIC(0.295",7.50mm 寬)
包裝: 管件
產(chǎn)品目錄頁面: 725 (CN2011-ZH PDF)
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ROM-Resident Routines
MC68HC908JL8/JK8 MC68HC08JL8/JK8 MC68HC908KL8 Data Sheet, Rev. 3.1
Freescale Semiconductor
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programmed in one routine call is 2 bytes, the maximum is 15 bytes. ADDRH:ADDRL must always be the
start of boundary address (the page start address: $XX00, $XX40, $XX80, or $00C0) and DATASIZE
must be the same size when accessing the same page.
In some applications, the user may want to repeatedly store and read a set of data from an area of
non-volatile memory. This is easily possible when using an EEPROM array. As the write and erase
operations can be executed on a byte basis. For FLASH memory, the minimum erase size is the page —
64 bytes per page for MC68HC908JL8. If the data array size is less than the page size, writing and erasing
to the same page cannot fully utilize the page. Unused locations in the page will be wasted. The
EE_WRITE routine is designed to emulate the properties similar to the EEPROM. Allowing a more
efficient use of the FLASH page for data storage.
When the user dedicates a page of FLASH for data storage, and the size of the data array defined, each
call of the EE_WRTIE routine will automatically transfer the data in the data array (in RAM) to the next
blank block of locations in the FLASH page. Once a page is filled up, the EE_WRITE routine automatically
erases the page, and starts to reuse the page again. In the 64-byte page, an 4-byte control block is used
by the routine to monitor the utilization of the page. In effect, only 60 bytes are used for data storage. (see
Figure 7-9). The page control operations are transparent to the user.
Figure 7-9. EE_WRITE FLASH Memory Usage
When using this routine to store a 3-byte data array, the FLASH page can be programmed 20 times before
the an erase is required. In effect, the write/erase endurance is increased by 20 times. When a 15-byte
data array is used, the write/erase endurance is increased by 5 times. Due to the FLASH page size
limitation, the data array is limited from 2 bytes to 15 bytes.
The coding example below uses the $EF00–$EE3F page for data storage. The data array size is 15 bytes,
and the bus speed is 4.9152 MHz. The coding assumes the data block is already loaded in RAM, with the
address pointer, FILE_PTR, pointing to the first byte of the data block.
PAGE BOUNDARY
CONTROL: 8 BYTES
DATA ARRAY
$XX00, $XX40, $XX80, OR $XXC0
PAGE BOUNDARY
ONE PAGE = 64 BYTES
F L ASH
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PDF描述
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參數(shù)描述
MC908JL8CDWER 功能描述:8位微控制器 -MCU MCU 8K FLASH 8 BIT ADC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC908JL8CFAE 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:MC908JL8CFAE
MC908JL8CFAER2 功能描述:8位微控制器 -MCU MCU 8K FLASH 8 BIT ADC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC908JL8CPE 功能描述:8位微控制器 -MCU MCU 8K FLASH 8 BIT ADC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC908JL8MDWE 功能描述:8位微控制器 -MCU MCU 8K FLASH 8 BIT ADC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT