參數(shù)資料
型號(hào): MC9328MX21CVKR2
廠商: Freescale Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 44/100頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述: IC MCU I.MX21 266MHZ 289-MAPBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1,000
系列: i.MX21
核心處理器: ARM9
芯體尺寸: 32-位
速度: 266MHz
連通性: 1 線(xiàn),EBI/EMI,I²C,IrDA,MMC,智能卡,SPI,SSI,UART/USART,USB OTG
外圍設(shè)備: DMA,I²S,LCD,POR,PWM,WDT
輸入/輸出數(shù): 192
程序存儲(chǔ)器類(lèi)型: ROMless
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 1.45 V ~ 3.3 V
振蕩器型: 外部
工作溫度: -40°C ~ 85°C
封裝/外殼: 289-LFBGA
包裝: 帶卷 (TR)
MC9328MX21 Technical Data, Rev. 3.4
48
Freescale Semiconductor
Specifications
Figure 39. SDRAM Write Cycle Timing Diagram
4S
Address setup time
3.67
2
ns
4H
Address hold time
2.95
2
ns
5
SDRAM access time (CL = 3)
5.4
5.4
ns
5
SDRAM access time (CL = 2)
6.0
6.0
ns
5
SDRAM access time (CL = 1)
ns
6
Data out hold time
2
2
–ns
7
Data out high-impedance time (CL = 3)
tHZ1
–tHZ1
ns
7
Data out high-impedance time (CL = 2)
tHZ1
–tHZ1
ns
7
Data out high-impedance time (CL = 1)
ns
8
Active to read/write command period (RC = 1)
tRCD2
–tRCD2
–ns
1. tHZ = SDRAM data out high-impedance time, external SDRAM memory device dependent parameter.
2. tRCD = SDRAM clock cycle time. The tRCD setting can be found in the i.MX21 reference manual.
Table 31. SDRAM Read Cycle Timing Parameter (Continued)
Ref
No.
Parameter
1.8 V
± 0.1 V
3.0 V
± 0.3 V
Unit
Minimum
Maximum
Minimum
Maximum
SDCLK
CS
CAS
WE
RAS
ADDR
DQ
DQM
/ BA
ROW/BA
3
4
6
1
COL/BA
DATA
2
5
7
8
9
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PDF描述
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