參數(shù)資料
型號(hào)： MC9S08GT32ACFBE
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁(yè)數(shù)： 192/302頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 32K FLASH 2K RAM 44-QFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 96
系列： S08
核心處理器： S08
芯體尺寸： 8-位
速度： 40MHz
連通性： I²C，SCI，SPI
外圍設(shè)備： LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 36
程序存儲(chǔ)器容量： 32KB（32K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
RAM 容量： 2K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.8 V ~ 3.6 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 8x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 44-QFP
包裝： 托盤
產(chǎn)品目錄頁(yè)面： 729 (CN2011-ZH PDF)
配用： M68DEMO908GB60E-ND - BOARD DEMO MC9S08GB60
M68EVB908GB60E-ND - BOARD EVAL FOR MC9S08GB60
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Appendix A Electrical Characteristics
MC9S08GB60A Data Sheet, Rev. 2
Freescale Semiconductor
271
A.7
ATD Characteristics
Table A-6. ATD Electrical Characteristics (Operating)
No.
Characteristic
Condition
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1ATD supply1
1 V
DDAD must be at same potential as VDD.
VDDAD
1.80
—
3.6
V
2
ATD supply current
Enabled
IDDADrun
—0.7
1.2
mA
Disabled
(ATDPU = 0
or STOP)
IDDADstop
—0.020.6
μA
3
Differential supply voltage
VDD–VDDAD
|VDDLT|—
—
100
mV
4
Differential ground voltage
VSS–VSSAD
|VSDLT|—
—
100
mV
5
Reference potential, low
|VREFL|—
—
VSSAD
V
Reference potential, high
2.08V < VDDAD < 3.6V
VREFH
2.08
—
VDDAD
V
1.80V < VDDAD < 2.08V
VDDAD
—VDDAD
6
Reference supply current
(VREFH to VREFL)
Enabled
IREF
—200
300
μA
Disabled
(ATDPU = 0
or STOP)
IREF
—
<0.01
0.02
7
Analog input voltage2
2 Maximum electrical operating range, not valid conversion range.
VINDC
VSSAD – 0.3
—
VDDAD + 0.3
V
Table A-7. ATD Timing/Performance Characteristics1
No.
Characteristic
Condition
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
ATD conversion clock
frequency
2.08V < VDDAD < 3.6V
fATDCLK
0.5
—
2.0
MHz
1.80V < VDDAD < 2.08V
0.5
—
1.0
2
Conversion cycles
(continuous convert)2
CC
28
<30
ATDCLK
cycles
3
Conversion time
2.08V < VDDAD < 3.6V
Tconv
14.0
—
60.0
μs
1.80V < VDDAD < 2.08V
28.0
—
60.0
4
Source impedance at input3
RAS
——
10
k
Ω
5
Analog Input Voltage4
VAIN
VREFL
VREFH
V
6
Ideal resolution (1 LSB)5
2.08V < VDDAD < 3.6V
RES
2.031
—
3.516
mV
1.80V < VDDAD < 2.08V
1.758
—
2.031
7
Differential non-linearity6
1.80V < VDDAD < 3.6V
DNL
—
+0.5
+1.0
LSB
8
Integral non-linearity7
1.80 V < VDDAD < 3.6V
INL
—
+0.5
+1.0
LSB
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