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參數(shù)資料
| 型號： | MC9S08RD8CDWE |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO28 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MS-013AE, SOIC-28 |
| 文件頁數(shù)： | 173/234頁 |
| 文件大小： | 1758K |
| 代理商： | MC9S08RD8CDWE |
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Memory
MC9S08RC/RD/RE/RG Data Sheet, Rev. 1.11
Freescale Semiconductor
43
4.4.1
Features
Features of the FLASH memory include:
FLASH Size
— MC9S08RC/RD/RE/RG60 — 63374 bytes (124 pages of 512 bytes each)
— MC9S08RC/RD/RE/RG32 — 32768 bytes (64 pages of 512 bytes each)
— MC9S08RC/RD/RE16 — 16384 bytes (32 pages of 512 bytes each)
— MC9S08RC/RD/RE8 — 8192 bytes (16 pages of 512 bytes each)
Single power supply program and erase
Command interface for fast program and erase operation
Up to 100,000 program/erase cycles at typical voltage and temperature
Flexible block protection
Security feature for FLASH and RAM
Auto power-down for low-frequency read accesses
4.4.2
Program and Erase Times
Before any program or erase command can be accepted, the FLASH clock divider register (FCDIV) must
be written to set the internal clock for the FLASH module to a frequency (fFCLK) between 150 kHz and
200 kHz (see Section 4.6.1, “FLASH Clock Divider Register (FCDIV)”). This register can be written only
once, so normally this write is done during reset initialization. FCDIV cannot be written if the access error
ag, FACCERR in FSTAT, is set. The user must ensure that FACCERR is not set before writing to the
FCDIV register. One period of the resulting clock (1/fFCLK) is used by the command processor to time
program and erase pulses. An integer number of these timing pulses are used by the command processor
to complete a program or erase command.
Table 4-4 shows program and erase times. The bus clock frequency and FCDIV determine the frequency
of FCLK (fFCLK). The time for one cycle of FCLK is tFCLK = 1/fFCLK. The times are shown as a number
of cycles of FCLK and as an absolute time for the case where tFCLK =5 s. Program and erase times
shown include overhead for the command state machine and enabling and disabling of program and erase
voltages.
Table 4-4. Program and Erase Times
Parameter
Cycles of FCLK
Time if FCLK = 200 kHz
Byte program
9
45
s
Byte program (burst)
4
20
s(1)
1. Excluding start/end overhead
Page erase
4000
20 ms
Mass erase
20,000
100 ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC9S08RG32FGE | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP44 |
| MC9S08RG32FJE | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP32 |
| MC9S08RD8PE | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP28 |
| MC9S08RG60CFJER | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP32 |
| MC9S08RC8CFGE | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP44 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MC9S08RD8CFDE | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers |
| MC9S08RD8CFGE | 功能描述:IC MCU 8K FLASH 8MHZ 44-LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:S08 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:87C 核心處理器:MCS 51 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:SIO 外圍設(shè)備:- 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲器容量:8KB（8K x 8） 程序存儲器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:外部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:44-DIP 包裝:管件 其它名稱:864285 |
| MC9S08RD8CFJ | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:8 BIT, 8K FLASH - Bulk |
| MC9S08RD8CFJE | 功能描述:IC MCU 8K FLASH 8MHZ 32-LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:S08 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:87C 核心處理器:MCS 51 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:SIO 外圍設(shè)備:- 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲器容量:8KB（8K x 8） 程序存儲器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:外部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:44-DIP 包裝:管件 其它名稱:864285 |
| MC9S08RD8CPE | 功能描述:IC MCU 8K FLASH 1K RAM 28-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:S08 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:87C 核心處理器:MCS 51 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:SIO 外圍設(shè)備:- 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲器容量:8KB（8K x 8） 程序存儲器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:外部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:44-DIP 包裝:管件 其它名稱:864285 |
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