- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄45290 > MC9S08RD8CDWE (FREESCALE SEMICONDUCTOR INC) 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO28 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MC9S08RD8CDWE |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO28 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MS-013AE, SOIC-28 |
| 文件頁數(shù)： | 177/234頁 |
| 文件大?。?/td> | 1758K |
| 代理商： | MC9S08RD8CDWE |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁當前第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁第234頁
Memory
MC9S08RC/RD/RE/RG Data Sheet, Rev. 1.11
Freescale Semiconductor
47
Writing to a FLASH address before the internal FLASH clock frequency has been set by writing
to the FCDIV register
Writing to a FLASH address while FCBEF is not set (A new command cannot be started until the
command buffer is empty.)
Writing a second time to a FLASH address before launching the previous command (There is only
one write to FLASH for every command.)
Writing a second time to FCMD before launching the previous command (There is only one write
to FCMD for every command.)
Writing to any FLASH control register other than FCMD after writing to a FLASH address
Writing any command code other than the ve allowed codes ($05, $20, $25, $40, or $41) to
FCMD
Accessing (read or write) any FLASH control register other than the write to FSTAT (to clear
FCBEF and launch the command) after writing the command to FCMD
The MCU enters stop mode while a program or erase command is in progress (The command is
aborted.)
Writing the byte program, burst program, or page erase command code ($20, $25, or $40) with a
background debug command while the MCU is secured (The background debug controller can
only do blank check and mass erase commands when the MCU is secure.)
Writing 0 to FCBEF to cancel a partial command
4.4.6
FLASH Block Protection
Block protection prevents program or erase changes for FLASH memory locations in a designated address
range. Mass erase is disabled when any block of FLASH is protected. The MC9S08RC/RD/RE/RG allows
a block of memory at the end of FLASH, and/or the entire FLASH memory to be block protected. A
disable control bit and a 3-bit control eld, for each of the blocks, allows the user to independently set the
size of these blocks. A separate control bit allows block protection of the entire FLASH memory array. All
seven of these control bits are located in the FPROT register (see Section 4.6.4, “FLASH Protection
At reset, the high-page register (FPROT) is loaded with the contents of the NVPROT location that is in the
nonvolatile register block of the FLASH memory. The value in FPROT cannot be changed directly from
application software so a runaway program cannot alter the block protection settings. If the last 512 bytes
of FLASH (which includes the NVPROT register) is protected, the application program cannot alter the
block protection settings (intentionally or unintentionally). The FPROT control bits can be written by
background debug commands to allow a way to erase a protected FLASH memory.
One use for block protection is to block protect an area of FLASH memory for a bootloader program. This
bootloader program then can be used to erase the rest of the FLASH memory and reprogram it. Because
the bootloader is protected, it remains intact even if MCU power is lost during an erase and reprogram
operation.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC9S08RG32FGE | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP44 |
| MC9S08RG32FJE | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP32 |
| MC9S08RD8PE | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP28 |
| MC9S08RG60CFJER | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP32 |
| MC9S08RC8CFGE | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP44 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MC9S08RD8CFDE | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers |
| MC9S08RD8CFGE | 功能描述:IC MCU 8K FLASH 8MHZ 44-LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:S08 標準包裝:1 系列:87C 核心處理器:MCS 51 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:SIO 外圍設(shè)備:- 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲器容量:8KB（8K x 8） 程序存儲器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:外部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:44-DIP 包裝:管件 其它名稱:864285 |
| MC9S08RD8CFJ | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:8 BIT, 8K FLASH - Bulk |
| MC9S08RD8CFJE | 功能描述:IC MCU 8K FLASH 8MHZ 32-LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:S08 標準包裝:1 系列:87C 核心處理器:MCS 51 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:SIO 外圍設(shè)備:- 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲器容量:8KB（8K x 8） 程序存儲器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:外部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:44-DIP 包裝:管件 其它名稱:864285 |
| MC9S08RD8CPE | 功能描述:IC MCU 8K FLASH 1K RAM 28-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:S08 標準包裝:1 系列:87C 核心處理器:MCS 51 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:SIO 外圍設(shè)備:- 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲器容量:8KB（8K x 8） 程序存儲器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:外部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:44-DIP 包裝:管件 其它名稱:864285 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。