參數(shù)資料
型號(hào): MC9S08RE8PE
廠商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類: 微控制器/微處理器
英文描述: 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP28
封裝: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-28
文件頁數(shù): 175/234頁
文件大?。?/td> 1758K
代理商: MC9S08RE8PE
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Memory
MC9S08RC/RD/RE/RG Data Sheet, Rev. 1.11
Freescale Semiconductor
45
Figure 4-3. FLASH Program and Erase Flowchart
4.4.4
Burst Program Execution
The burst program command is used to program sequential bytes of data in less time than would be
required using the standard program command. This is possible because the high voltage to the FLASH
array does not need to be disabled between program operations. Ordinarily, when a program or erase
command is issued, an internal charge pump associated with the FLASH memory must be enabled to
supply high voltage to the array. Upon completion of the command, the charge pump is turned off. When
a burst program command is issued, the charge pump is enabled and remains enabled after completion of
the burst program operation if the following two conditions are met:
The new burst program command has been queued before the current program operation
completes.
The next sequential address selects a byte on the same physical row as the current byte being
programmed. A row of FLASH memory consists of 64 bytes. A byte within a row is selected by
addresses A5 through A0. A new row begins when addresses A5 through A0 are all zero.
The rst byte of a series of sequential bytes being programmed in burst mode will take the same amount
of time to program as a byte programmed in standard mode. Subsequent bytes will program in the burst
START
WRITE TO FLASH
TO BUFFER ADDRESS AND DATA
WRITE COMMAND TO FCMD
NO
YES
FPVIO OR
WRITE 1 TO FCBEF
TO LAUNCH COMMAND
AND CLEAR FCBEF (2)
1
0
FCCF ?
ERROR EXIT
DONE
(2) Wait at least four cycles before
checking FCBEF or FCCF.
0
FACCERR ?
CLEAR ERROR
FACCERR ?
WRITE TO FCDIV(1)
(1) Required only once
after reset.
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PDF描述
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