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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MC9S12C64CFAE |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 635/690頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MCU 64K FLASH 4K RAM 48-LQFP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 250 |
| 系列： | HCS12 |
| 核心處理器： | HCS12 |
| 芯體尺寸： | 16-位 |
| 速度： | 25MHz |
| 連通性： | CAN，EBI/EMI，SCI，SPI |
| 外圍設(shè)備： | POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 31 |
| 程序存儲(chǔ)器容量： | 64KB（64K x 8） |
| 程序存儲(chǔ)器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 4K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2.35 V ~ 5.5 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 8x10b |
| 振蕩器型： | 內(nèi)部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 48-LQFP |
| 包裝： | 托盤 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 731 (CN2011-ZH PDF) |
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Appendix A Electrical Characteristics
670
MC9S12C-Family / MC9S12GC-Family
Freescale Semiconductor
Rev 01.24
A.5.1.1
Single Word Programming
The programming time for single word programming is dependant on the bus frequency as a well as on the
frequency f¨NVMOP and can be calculated according to the following formula.
A.5.1.2
Row Programming
Generally the time to program a consecutive word can be calculated as:
For the C16, GC16, C32 and GC32 device ash arrays, where up to 32 words in a row can be programmed
consecutively by keeping the command pipeline lled, the time to program a whole row is:
For the C64, GC64, C96, C128 and GC128 device ash arrays, where up to 64 words in a row can be
programmed consecutively by keeping the command pipeline lled, the time to program a whole row is:
Row programming is more than 2 times faster than single word programming.
A.5.1.3
Sector Erase
Erasing either a 512 byte or 1024 byte Flash sector takes:
The setup times can be ignored for this operation.
A.5.1.4
Mass Erase
Erasing a NVM block takes:
This is independent of sector size.
The setup times can be ignored for this operation.
t
swpgm
9
1
f
NVMOP
---------------------
25
1
f
bus
----------
+
=
t
bwpgm
4
1
f
NVMOP
---------------------
9
1
f
bus
----------
+
=
t
brpgm
t
swpgm
31 t
bwpgm
+
=
t
brpgm
t
swpgm
63 tbwpgm
+
=
t
era
4000
1
f
NVMOP
---------------------
≈
t
mass
20000
1
f
NVMOP
---------------------
≈
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