參數(shù)資料
型號(hào)： MC9S12DB128B
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： MC9S12DT128B
中文描述： MC9S12DT128B
文件頁(yè)數(shù)： 90/124頁(yè)
文件大?。?/td> 577K
代理商： MC9S12DB128B
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MC9S12DT128B Device User Guide — V01.07
90
Table A-6 5V I/O Characteristics
Conditions are shown in
Table A-4
unless otherwise noted
Num C
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
P Input High Voltage
V
IH
0.65*V
DD5
–
V
T Input High Voltage
V
IH
–
–
V
DD5
+ 0.3
2
P Input Low Voltage
V
IL
–
–
0.35*V
DD5
V
T Input Low Voltage
V
IL
V
SS5
– 0.3
–
–
V
3
C Input Hysteresis
V
HYS
250
mV
4
P
Input Leakage Current (pins in high ohmic input
mode)
1
V
in
= V
DD5
or V
SS5
ADC Inputs AN15:0
All other Ports (A, B, E, K, M, S, T)
NOTES
:
1. Maximum leakage current occurs at maximum operating temperature. Current decreases by approximately one-half for
each 8 C to 12 C in the temperature range from 50 C to 125 C.
2. Refer to
Section A.1.4 Current Injection
, for more details
3. Parameter only applies in STOP or Pseudo STOP mode.
I
in
-1.0
–2.5
–
1.0
2.5
μ
A
5
C
P
Output High Voltage (pins in output mode)
Partial Drive IOH= –2.0mA
Full Drive IOH= –10.0mA
V
OH
V
DD5
– 0.8
–
–
V
6
C
P
Output Low Voltage (pins in output mode)
Partial Drive IOL= +2.0mA
Full Drive IOL= +10.0mA
V
OL
–
–
0.8
V
7
P
Internal Pull Up Device Current,
tested at V
IL
Max.
I
PUL
–
–
–130
μ
A
8
C
Internal Pull Up Device Current,
tested at V
IH
Min.
I
PUH
–10
–
–
μ
A
9
P
Internal Pull Down Device Current,
tested at V
IH
Min.
I
PDH
–
–
130
μ
A
10
C
Internal Pull Down Device Current,
tested at V
IL
Max.
I
PDL
10
–
–
μ
A
11
D Input Capacitance
C
in
6
–
pF
12
T
Injection current
2
Single Pin limit
Total Device Limit. Sum of all injected currents
I
ICS
I
ICP
–2.5
–25
–
2.5
25
mA
13
P Port H, J, P Interrupt Input Pulse filtered
3
t
PULSE
3
μ
s
14
P Port H, J, P Interrupt Input Pulse passed
3
t
PULSE
10
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MC9S12DB128BCFU MC9S12DT128B
MC9S12DB128BCPV MC9S12DT128B
MC9S12DB128BMFU MC9S12DT128B
MC9S12DB128BMPV MC9S12DT128B
MC9S12DB128BVFU MC9S12DT128B
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參數(shù)描述
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