參數(shù)資料
型號(hào)： MCIMX355AVM5B
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 97/147頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MPU I.MX35 400MAPBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： i.MX35
核心處理器： ARM11
芯體尺寸： 32-位
速度： 532MHz
連通性： 1 線，CAN，EBI/EMI，以太網(wǎng)，I²C，MMC，SPI，SSI，UART/USART，USB OTG
外圍設(shè)備： DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 96
程序存儲(chǔ)器類型： ROMless
RAM 容量： 128K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.33 V ~ 1.47 V
振蕩器型： 外部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 400-LFBGA
包裝： 托盤
i.MX35 Applications Processors for Automotive Products, Rev. 10
Freescale Semiconductor
53
Figure 32. DDR2 SDRAM Write Cycle Timing Diagram
NOTE
These values are for DQ/DM slew rate of 1 V/ns and DQS slew rate of
1 V/ns. For different values use the derating table.
Table 41. DDR2 SDRAM Write Cycle Parameters
ID
PARAMETER
Symbol
DDR2-400
Unit
Min
Max
DDR17 DQ and DQM setup time to DQS (single-ended strobe)
tDS1(base)
0.5
—
ns
DDR18 DQ and DQM hold time to DQS (single-ended strobe)
tDH1(base)
0.5
—
ns
DDR19 Write cycle DQS falling edge to SDCLK output setup time.
tDSS
0.2
—
tCK
DDR20 Write cycle DQS falling edge to SDCLK output hold time.
tDSH
0.2
—
tCK
DDR21 DQS latching rising transitions to associated clock edges
tDQSS
–0.25
0.25
tCK
DDR22 DQS high level width
tDQSH
0.35
—
tCK
DDR23 DQS low level width
tDQSL
0.35
—
tCK
SDCLK
SDCLK_B
DQS (output)
DQ (output)
DQM (output)
Data
Data
DM
DDR17
DDR18
DDR19
DDR20
DDR21
DDR23
DDR22
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PDF描述
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