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參數(shù)資料
| 型號： | MCP6N11-002E/SN |
| 廠商： | Microchip Technology |
| 文件頁數(shù)： | 50/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC AMP INSTR RRIO 8SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 100 |
| 放大器類型： | 儀表 |
| 電路數(shù)： | 1 |
| 輸出類型： | 滿擺幅 |
| 轉(zhuǎn)換速率： | 9 V/µs |
| 增益帶寬積： | 1MHz |
| 電流 - 輸入偏壓： | 10pA |
| 電壓 - 輸入偏移： | 2000µV |
| 電流 - 電源： | 800µA |
| 電流 - 輸出 / 通道： | 30mA |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 125°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-SOICN |
| 包裝： | 管件 |
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2011 Microchip Technology Inc.
DS25073A-page 9
MCP6N11
1.4
DC Test Circuits
1.4.1
INPUT OFFSET TEST CIRCUIT
Figure 1-6 is used for testing the INA’s input offset
errors and input voltage range (VE, VIVL and VIVH; see
to equal VCNT; U1 can be set to any bias point.
FIGURE 1-6:
Test Circuit for Common
Mode (Input Offset).
When MCP6N11 is in its normal range of operation, the
DC output voltages are (where VE is the sum of input
offset errors and gE is the gain error):
EQUATION 1-1:
for different GMIN options.
1.4.2
DIFFERENTIAL GAIN TEST CIRCUIT
Figure 1-7 is used for testing the INA’s differential gain
error, non-linearity and input voltage range (gE, INLDM,
accurate gain error measurements.
FIGURE 1-7:
Test Circuit for Differential
Mode.
The output voltages are (where VE is the sum of input
offset errors and gE is the gain error):
EQUATION 1-2:
To keep VREF, VFG and VOUT within their ranges, set:
EQUATION 1-3:
produce a 10 k
Ω load; VL can usually be left open.
TABLE 1-5:
SELECTING RF AND RG
GMIN
(V/V)
Nom.
RF
(
Ω)
Nom.
RG
(
Ω)
Nom.
GDM
(V/V)
Nom.
GDMVOS
(±V)
Max.
BW
(kHz)
Nom.
1
100k
499
201.4
0.60
2.5
2
0.40
5.0
5
100k
100
1001
0.85
2.5
10
0.50
5.0
100
0.35
35
RL
VCM
100 nF
VDD
2.2 F
VREF
VL
12.7 k
Ω
VM
100 nF
CCNT
U1
MCP6N11
U2
MCP6H01
VCNT
63.4 k
Ω
RG
RF
RCNT
63.4 k
Ω
VOUT
10 nF
1k
Ω
1k
Ω
G
DM
1R
F RG
+
=
V
OUT
V
CNT
=
V
M
V
REF
G
DM 1gE
+
()V
E
+
=
TABLE 1-6:
SELECTING RF AND RG
GMIN
(V/V)
Nom.
RF
(
Ω)
Nom.
RG
(
Ω)
Nom.
GDM
(V/V)
Nom.
10
Open
1.000
2
4.99k
2.000
5
8.06k
2.00k
5.030
10
9.09k
1.00k
10.09
100
10.0k
100
101.0
RL
6.34 k
Ω
1k
Ω
1k
Ω
VCM +VDM/2
+
100 nF
VOUT
RF
RG
VM
–
100 nF
VDD
2.2 F
6.34 k
Ω
VREF
VFG
VL
VCM –VDM/2
0.01%
U1
MCP6N11
G
DM
1R
F RG
+
=
V
M
V
OUT
V
REF
–
=
V
OUT
V
REF
G
DM 1gE
+
() V
DM
V
E
+
()
+
=
G
DM 1gE
+
() V
DM
V
E
+
()
=
V
REF
V
DD
G
DMVDM
–
() 2
=
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCP6N11-005E/SN | IC AMP INSTR RRIO 8SOIC |
| AD8216YRZ | IC AMP DIFF 8SOIC |
| GBC35SFBN-M30 | CONN HEADER 35PS .100 SINGLE SMD |
| SMBJ75CAHE3/52 | TVS BIDIR 600W 75V 5% SMB |
| SMBJ70CAHE3/52 | TVS BIDIR 600W 70V 5% SMB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MCP6N11-005E/SN | 功能描述:儀表放大器 Sin, 500kHz, 800uA Gmin 5 v/v, I/O RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量: 輸入補(bǔ)償電壓:150 V 可用增益調(diào)整: 最大輸入電阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作電源電壓:2.7 V to 36 V 電源電流:200 uA 最大工作溫度:+ 125 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:MSOP-8 封裝:Bulk |
| MCP6N11-010E/SN | 功能描述:儀表放大器 Sin, 500kHz, 800uA Gmin 10 v/v, I/O RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量: 輸入補(bǔ)償電壓:150 V 可用增益調(diào)整: 最大輸入電阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作電源電壓:2.7 V to 36 V 電源電流:200 uA 最大工作溫度:+ 125 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:MSOP-8 封裝:Bulk |
| MCP6N11-100E/SN | 功能描述:儀表放大器 Sin, 500kHz, 800uA Gmin 100 v/v, I/O RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量: 輸入補(bǔ)償電壓:150 V 可用增益調(diào)整: 最大輸入電阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作電源電壓:2.7 V to 36 V 電源電流:200 uA 最大工作溫度:+ 125 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:MSOP-8 封裝:Bulk |
| MCP6N11T-001E/MNY | 功能描述:儀表放大器 Sngl Instrumentation Amp mCal E temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量: 輸入補(bǔ)償電壓:150 V 可用增益調(diào)整: 最大輸入電阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作電源電壓:2.7 V to 36 V 電源電流:200 uA 最大工作溫度:+ 125 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:MSOP-8 封裝:Bulk |
| MCP6N11T-001E/SN | 功能描述:儀表放大器 Sngl Instrumentation Amp mCal E temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量: 輸入補(bǔ)償電壓:150 V 可用增益調(diào)整: 最大輸入電阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作電源電壓:2.7 V to 36 V 電源電流:200 uA 最大工作溫度:+ 125 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:MSOP-8 封裝:Bulk |
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