參數(shù)資料
型號： MCP6N11T-100E/SN
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 50/50頁
文件大小： 0K
描述： IC AMP INSTR RRIO 35MHZ 8SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 3,300
放大器類型： 儀表
電路數(shù)： 1
輸出類型： 滿擺幅
轉(zhuǎn)換速率： 6 V/µs
增益帶寬積： 35MHz
電流 - 輸入偏壓： 10pA
電壓 - 輸入偏移： 350µV
電流 - 電源： 800µA
電流 - 輸出 / 通道： 30mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 1.8 V ~ 5.5 V
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SOICN
包裝： 帶卷 (TR)
2011 Microchip Technology Inc.
DS25073A-page 9
MCP6N11
1.4
DC Test Circuits
1.4.1
INPUT OFFSET TEST CIRCUIT
Figure 1-6 is used for testing the INA’s input offset
errors and input voltage range (VE, VIVL and VIVH; see
linearity”). U2 is part of a control loop that forces VOUT
to equal VCNT; U1 can be set to any bias point.
FIGURE 1-6:
Test Circuit for Common
Mode (Input Offset).
When MCP6N11 is in its normal range of operation, the
DC output voltages are (where VE is the sum of input
offset errors and gE is the gain error):
EQUATION 1-1:
Table 1-5 gives the recommended RF and RG values
for different GMIN options.
1.4.2
DIFFERENTIAL GAIN TEST CIRCUIT
Figure 1-7 is used for testing the INA’s differential gain
error, non-linearity and input voltage range (gE, INLDM,
Error and Non-linearity”). RF and RG are 0.01% for
accurate gain error measurements.
FIGURE 1-7:
Test Circuit for Differential
Mode.
The output voltages are (where VE is the sum of input
offset errors and gE is the gain error):
EQUATION 1-2:
To keep VREF, VFG and VOUT within their ranges, set:
EQUATION 1-3:
Table 1-6 shows the recommended RF and RG. They
produce a 10 k
Ω load; VL can usually be left open.
TABLE 1-5:
SELECTING RF AND RG
GMIN
(V/V)
Nom.
RF
(
Ω)
Nom.
RG
(
Ω)
Nom.
GDM
(V/V)
Nom.
GDMVOS
(±V)
Max.
BW
(kHz)
Nom.
1
100k
499
201.4
0.60
2.5
2
0.40
5.0
5
100k
100
1001
0.85
2.5
10
0.50
5.0
100
0.35
35
RL
VCM
100 nF
VDD
2.2 F
VREF
VL
12.7 k
Ω
VM
100 nF
CCNT
U1
MCP6N11
U2
MCP6H01
VCNT
63.4 k
Ω
RG
RF
RCNT
63.4 k
Ω
VOUT
10 nF
1k
Ω
1k
Ω
G
DM
1R
F RG
+
=
V
OUT
V
CNT
=
V
M
V
REF
G
DM 1gE
+
()V
E
+
=
TABLE 1-6:
SELECTING RF AND RG
GMIN
(V/V)
Nom.
RF
(
Ω)
Nom.
RG
(
Ω)
Nom.
GDM
(V/V)
Nom.
10
Open
1.000
2
4.99k
2.000
5
8.06k
2.00k
5.030
10
9.09k
1.00k
10.09
100
10.0k
100
101.0
RL
6.34 k
Ω
1k
Ω
1k
Ω
VCM +VDM/2
+
100 nF
VOUT
RF
RG
VM
–
100 nF
VDD
2.2 F
6.34 k
Ω
VREF
VFG
VL
VCM –VDM/2
0.01%
U1
MCP6N11
G
DM
1R
F RG
+
=
V
M
V
OUT
V
REF
–
=
V
OUT
V
REF
G
DM 1gE
+
() V
DM
V
E
+
()
+
=
G
DM 1gE
+
() V
DM
V
E
+
()
=
V
REF
V
DD
G
DMVDM
–
() 2
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MCP6V11T-E/OT IC OPAMP SGL ZERO DRIFT SOT23-5
MCP6V27T-E/SN IC OPAMP DUAL AUTO-ZERO 8SOIC
MCP6V31UT-E/LT IC OPAMP SGL ZERO DRIFT SC70-5
ME50101VX-000U-A99 FAN BRUSHLESS 12VDC 50X50X10MM
MIC6211BM5 TR IC OP AMP GEN PURPOSE SOT23-5
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MCP6S21-I/MS 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:Single 共模抑制比（最小值）: 輸入補償電壓: 工作電源電壓:3 V to 5.5 V 電源電流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-20 封裝:Reel
MCP6S21-I/P 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:Single 共模抑制比（最小值）: 輸入補償電壓: 工作電源電壓:3 V to 5.5 V 電源電流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-20 封裝:Reel
MCP6S21-I/P 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:AMP PROGRAMMABLE GAIN 1 CH 6S21
MCP6S21-I/SN 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:Single 共模抑制比（最小值）: 輸入補償電壓: 工作電源電壓:3 V to 5.5 V 電源電流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-20 封裝:Reel
MCP6S21-I/SN 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*