參數(shù)資料
型號(hào)： MCR08B
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： SENSITIVE GATE SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
中文描述： 敏感柵可控硅整流器
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 294K
代理商： MCR08B
5
Motorola Thyristor Device Data
S
μ
H
I
H
10000
100
S
μ
10,000
10
100
1000
1.0
10000
1000
100
10
1.0
0.1
10
100
RGK, GATE-CATHODE RESISTANCE (OHMS)
1000
10,000
100,000
CGK, GATE-CATHODE CAPACITANCE (nF)
0.1
1.0
10
100
RGK, GATE-CATHODE RESISTANCE (OHMS)
100
1.0
0.1
1000
1.0
RGK, GATE-CATHODE RESISTANCE (OHMS)
10
100
10,000
100,000
10
Figure 14. Holding Current Range versus
Gate-Cathode Resistance
Figure 15. Exponential Static dv/dt versus Junction
Temperature and Gate-Cathode Termination Resistance
0.01
IGT = 48
μ
A
TJ = 25
°
C
IGT = 7
μ
A
S
μ
50
°
75
°
125
°
500 V
100 V
S
μ
GATE-CATHODE RESISTANCE (OHMS)
100
1000
10,000
100,000
10
5000
500
50
5.0
0.5
1000
500
400 V
TJ = 110
°
C
50 V
50
10
5.0
10000
100
1.0
1000
500
50
10
5.0
TJ = 110
°
C
400 V (PEAK)
RGK = 10 k
RGK = 100
RGK = 1.0 k
10000
100
1.0
1000
500
50
10
5.0
IGT = 5
μ
A
IGT = 70
μ
A
IGT = 35
μ
A
IGT = 15
μ
A
110
°
TJ = 25
°
Vpk = 400 V
200 V
300 V
Figure 16. Exponential Static dv/dt versus Peak
Voltage and Gate-Cathode Termination Resistance
Figure 17. Exponential Static dv/dt versus
Gate-Cathode Capacitance and Resistance
Figure 18. Exponential Static dv/dt versus
Gate-Cathode Termination Resistance and
Product Trigger Current Sensitivity
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PDF描述
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MCR08BT1,115 功能描述:SCR TAPE-7 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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