參數(shù)資料
型號： MCR08BT1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 晶閘管
英文描述： SCR 0.8 AMPERE RMS 200 thru 600 Volts
中文描述： 0.8 A, 200 V, SCR
封裝： CASE 318E, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 294K
代理商： MCR08BT1
3
Motorola Thyristor Device Data
PAD AREA = 4.0 cm2, 50
OR 60 Hz HALFWAVE
°
T
2.0
0
4.0
FOIL AREA (cm2)
6.0
8.0
10
TYPICAL
MAXIMUM
4
1
2
3
MINIMUM
FOOTPRINT = 0.076 cm2
DEVICE MOUNTED ON
FIGURE 1 AREA = L2
PCB WITH TAB AREA
AS SHOWN
L
L
180
°
110
85
IT(AV), AVERAGE ON-STATE CURRENT (AMPS)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
50 OR 60 Hz HALFWAVE
T
A
°
110
100
90
80
60
50
70
IT(AV), AVERAGE ON-STATE CURRENT (AMPS)
110
100
90
80
60
50
40
30
20
70
Figure 2. On-State Characteristics
Figure 3. Junction to Ambient Thermal
Resistance versus Copper Tab Area
Figure 4. Current Derating, Minimum Pad Size
Reference: Ambient Temperature
Figure 5. Current Derating, 1.0 cm Square Pad
Reference: Ambient Temperature
vT, INSTANTANEOUS ON-STATE VOLTAGE (VOLTS)
I
IT(AV), AVERAGE ON-STATE CURRENT (AMPS)
Figure 6. Current Derating, 2.0 cm Square Pad
Reference: Ambient Temperature
10
1.0
0.1
0.01
4.0
1.0
110
0.5
0.3
0.2
0.1
0
IT(AV), AVERAGE ON-STATE CURRENT (AMPS)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
100
90
80
60
50
40
30
20
0.4
70
T
A
°
dc
T
T
°
Figure 7. Current Derating
Reference: Anode Tab
180
°
α
= 30
°
60
°
90
°
60
°
120
°
60
°
dc
180
°
120
°
1.0 cm2 FOIL, 50 OR
60 Hz HALFWAVE
dc
2.0
3.0
TYPICAL AT TJ = 110
°
C
MAX AT TJ = 110
°
C
MAX AT TJ = 25
°
C
160
150
140
130
120
110
100
90
60
50
40
30
80
70
120
°
90
°
60
°
90
°
1.0
3.0
5.0
7.0
9.0
α
α =
CONDUCTION
ANGLE
50 OR 60 Hz HALFWAVE
α
α =
CONDUCTION
ANGLE
90
°
α
= 30
°
α
α =
CONDUCTION
ANGLE
180
°
120
°
α
α =
CONDUCTION
ANGLE
α
= 30
°
dc
α
= 30
°
θ
J
R
,
T
A
°
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