參數(shù)資料
型號： MCZ33285EF
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： Dual High-Side TMOS Driver
中文描述： 雙高邊的TMOS驅(qū)動器
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大小： 173K
代理商： MCZ33285EF
Analog Integrated Circuit Device Data
Freescale Semiconductor
6
33285
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Table 4. Dynamic Electrical Characteristics
Characteristics noted under conditions T
A
from -40
°
C
≤
125
°
C, V
CC
from 7 V
≤
20 V, unless otherwise noted. Typical values
noted reflect the approximate parameter mean at T
A
= 25
°
C under nominal conditions, unless otherwise noted.
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OVER VOLTAGE AND OVER CURRENT
Load Dump Detection Time
t
LD
DET
250
400
550
μ
s
Over Current Detection Time
tOC
DET
520
800
1080
μ
s
OUT1 PIN 2, AND OUT2 PIN 4
Turn ON Time, OUT1: 8.0 nF, 10
μ
A; OUT2:16 nF, 10
μ
A
-7.0 V < V
CC
< 10 V, V
OUT
> V
CC
+ 7.0
-10 V < V
CC
< 20 V, V
OUT
> V
CC
+ 11
t
ON
—
—
—
—
1.5
1.5
ms
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PDF描述
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參數(shù)描述
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