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參數資料
| 型號： | MDS35-800 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | DIODE / SCR MODULE |
| 中文描述： | 二極管/可控硅模塊 |
| 文件頁數： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 399K |
| 代理商： | MDS35-800 |
MDS35 / 50 / 80 Series
2/7
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Tj = 25°C, unless otherwise specified)
SCR
DIODE
Symbol
Test Conditions
MDS
Unit
35
50
80
I
GT
V
D
= 12 V
R
L
= 30
MIN.
5
10
mA
MAX.
50
100
V
GT
MAX.
1.3
V
V
GD
V
D
= V
DRM
R
L
= 3.3 k
Tj = 125°C
MIN.
0.2
V
I
H
I
T
= 500 mA
Gate open
MAX.
80
mA
I
L
I
G
= 1.2 I
GT
MAX.
120
mA
dV/dt
V
D
= 67% V
DRM
Gate open
Tj = 125°C
MIN.
1000
V/μs
V
TM
I
TM
= 80 A
tp = 380 μs
Tj = 25°C
MAX.
1.7
-
-
V
I
TM
= 110 A
tp = 380 μs
-
1.75
-
I
TM
= 170 A
tp = 380 μs
-
-
1.75
V
t0
Threshold voltage
Tj = 125°C
MAX.
0.85
V
R
d
Dynamic resistance
Tj = 125°C
MAX.
11
7.0
5.5
m
I
DRM
I
RRM
V
DRM
/ V
RRM
RATED
Tj = 25°C
MAX.
20
μA
Tj = 125°C
10
mA
Symbol
Test Conditions
MDS
Unit
35
50
80
V
F
I
F
= 80 A
Tj = 25°C
MAX.
1.7
-
-
V
I
F
= 110 A
-
1.7
-
I
F
= 170 A
-
-
1.7
V
t0
Threshold voltage
Tj = 125°C
MAX.
0.85
V
R
d
Dynamic resistance
Tj = 125°C
MAX.
11
7.0
5.5
m
I
R
V
R
= V
RRM
Tj = 25°C
MAX.
20
μA
Tj = 125°C
10
mA
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