參數(shù)資料
型號(hào)： MGB19N35CL
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts(19A，350V鉗位電壓，點(diǎn)火絕緣柵雙極型晶體管（D2PAK封裝）)
中文描述： 點(diǎn)火IGBT一十九安培，350伏特，（第19A，350V鉗位電壓，點(diǎn)火絕緣柵雙極型晶體管（采用D2PAK封裝））
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大?。?/td> 72K
代理商： MGB19N35CL
MGP19N35CL, MGB19N35CL
http://onsemi.com
4
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(unless otherwise noted)
2.5
1.0
3.0
0.5
2.0
0.0
1.5
25
20
15
10
5
0
30
35
40
45
50
55
60
10000
1000
100
10
00
120
60
40
20
140
180
80
100
160
1
0
40
6
10
4
2
I
0
60
20
30
50
8
1
3
5
7
1.0
0.5
0.0
1.5
2.0
2.5
0
40
6
10
4
2
I
0
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Output Characteristics
Figure 2. Output Characteristics
0
2
1.5
1
0.5
2.5
3
3.5
Figure 3. Transfer Characteristics
VGE, GATE TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Collector–to–Emitter Saturation
Voltage vs. Junction Temperature
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
V
I
Figure 5. Capacitance Variation
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Threshold Voltage vs. Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
C
T
60
–50
50
75
25
0
100
–25
125
VGE = 10.0 V
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
20
30
50
8
1
3
5
7
VGE = 5.0 V
VGE = 4.5 V
VGE = 4.0 V
VGE = 3.5 V
VGE = 3.0 V
VGE = 2.5 V
TJ = 25
°
C
TJ = 150
°
C
VGE = 10.0 V
VGE = 5.0 V
VGE = 4.5 V
VGE = 4.0 V
VGE = 3.5 V
VGE = 3.0 V
VGE = 2.5 V
VCE = 10 V
TJ = 25
°
C
TJ = 150
°
C
TJ = –40
°
C
4
4.5
5
150
VGE = 5.0 V
IC = 25 A
IC = 20 A
IC = 15 A
IC = 10 A
IC = 5 A
–50
50
75
25
0
100
–25
125
150
Mean + 4
σ
Mean – 4
σ
Mean
IC = 1 mA
Crss
Ciss
Coss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MGP19N35CL Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts(19A，350V鉗位電壓，點(diǎn)火絕緣柵雙極型晶體管（TO-220封裝）)
MGP4N60ED Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode
MGSF1P02LT1 Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P-Channel(750mA，20V，P溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
MGSF2N02E 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
MGSF2N02EL 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MGB19N35CLT4 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts N−Channel TO−220 and D-2PAK
MGB20 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:DOT POINT í 2.0mm HIGH EFFICIENCY LED LAMP
MGB20D 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:DOT POINT í 2.0mm HIGH EFFICIENCY LED LAMP
MGB20N36CL 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MG-B2-10-L 功能描述:SWITCH MAGNETIC NC 10 L SERIES RoHS:是 類別:開(kāi)關(guān) >> 磁簧 系列:L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類型:模制殼體 電路:SPST-NO 必須的操作范圍:- 必須的釋放范圍:- 最大開(kāi)關(guān)電流 (DC):1A 最大開(kāi)關(guān)電壓 (DC):200V 最大開(kāi)關(guān)功率:15W 磁體:包括在內(nèi) 安裝類型:底座安裝 端接類型:- 包裝:散裝
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*