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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MGF0906 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | L,S BAND POWER GaAs FET |
| 中文描述： | 升，S波段砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 125K |
| 代理商： | MGF0906 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGF0906B | L,S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0907 | L,S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0907B | L,S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0909 | L,S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0909A | L,S BAND POWER GaAs FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MGF0906B | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
| MGF0906B_1 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:L,S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0906B_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
| MGF0907 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:L,S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0907B | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
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