型號: | MGF1302 |
廠商: | Mitsubishi Electric Corporation |
英文描述: | LOW NOISE GaAs FET |
中文描述: | 低噪聲砷化鎵場效應(yīng)管 |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大小: | 211K |
代理商: | MGF1302 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
MGF1303 | LOW NOISE GaAs FET |
MGF1303B | LOW NOISE GaAs FET |
MGF1304A | FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFIERS N-CHANNEL SCHOTTKY BARRIER GATE TYPE |
MGF1305 | FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFIERS N-CHANNEL SCHOTTKY BARRIER GATE TYPE |
MGF1403B | LOW NOISE GaAs FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
MGF1302_97 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:LOW NOISE GaAs FET |
MGF1303 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:LOW NOISE GaAs FET |
MGF1303B | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:LOW NOISE GaAs FET |
MGF1303B_97 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:LOW NOISE GaAs FET |
MGF1304A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFIERS N-CHANNEL SCHOTTKY BARRIER GATE TYPE |