參數(shù)資料
型號(hào)： MGF1801B
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： MICROWAVE POWER GaAs FET
中文描述： 微波功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 23K
代理商： MGF1801B
MGF1801B
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR GaAs FET
MICROWAVE POWER GaAs FET
Nov. ′97
P
O
vs. P
in
(f=12GHz)
INPUT POWER P
in
(dBm)
-5
15
10
5
15
30
Gain:10dB
P
O
25
20
10
0
0
5
20
25
TYPICAL CHARACTERISTICS
(T
a
=25C)
I
D
vs. V
DS
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
0
2
10
100
200
0
V
GS
=-0.5V/step
4
6
8
V
GS
=0V
P
O
vs. P
in
(f=8GHz)
INPUT POWER P
in
(dBm)
-5
15
10
5
15
30
V
DS
=6V
V
DS
=4V
25
20
10
0
0
5
20
25
I
D
=100mA
Gain:10dB
P
O
V
DS
=6V
V
DS
=4V
I
D
=100mA
8
64 2
8
64 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MGF1801BT TAPE CARRIER MICROWAVE POWER GaAs FET
MGF1908A TAPE CARRIER LOW NOISE GaAs FET
MGF2407 MICROWAVE POWER GaAs FET
MGF4316 Super Low Noise InGaAs HEMT
MGF4319 Super Low Noise InGaAs HEMT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MGF1801B_1 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MICROWAVE POWER GaAs FET
MGF1801BT 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:TAPE CARRIER MICROWAVE POWER GaAs FET
MGF1801BT_1 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:TAPE CARRIER MICROWAVE POWER GaAs FET
MGF1902B 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:TAPE CARRIER LOW NOISE GaAs FET
MGF1903B 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:TAPE CARRIER LOW NOISE GaAs FET
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*