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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MGF4316 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | Super Low Noise InGaAs HEMT |
| 中文描述： | 超低噪音銦鎵砷遷移率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | MGF4316 |
MGF431xG
Super Low Noise InGaAs HEMT
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <GaAs FET>
MITSUBISHI
ELECTRIC
as of Apr.'98
f
S11
S21
S12
S22
MSG/MAG
K
(GHz)
Magn.
Angle
Magn.
Angle
Magn.
Angle
Magn.
Angle
(dB)
1
0.990
-22.3
5.775
158.1
0.020
71.9
0.533
-19.2
28.8
0.10
2
0.967
-40.6
5.585
140.6
0.035
61.8
0.514
-33.4
26.5
0.19
3
0.925
-53.2
5.401
128.9
0.051
53.3
0.489
-42.9
24.3
0.27
4
0.874
-70.9
5.161
111.8
0.064
42.4
0.457
-58.2
21.6
0.35
5
0.831
-88.8
4.899
96.8
0.075
29.3
0.424
-71.6
19.8
0.43
6
0.783
-105.7
4.626
80.8
0.083
19.0
0.391
-87.5
18.1
0.50
7
0.743
-120.6
4.316
67.9
0.087
9.1
0.369
-100.6
16.8
0.57
8
0.706
-132.1
4.100
56.4
0.090
4.1
0.357
-110.8
15.9
0.64
9
0.682
-144.7
3.887
43.2
0.093
-6.4
0.357
-122.3
15.1
0.69
10
0.670
-159.1
3.765
30.1
0.094
-14.3
0.351
-133.0
14.7
0.72
11
0.639
-171.8
3.617
17.5
0.095
-24.4
0.339
-143.5
14.0
0.80
12
0.617
175.3
3.526
4.5
0.096
-33.5
0.329
-154.0
13.5
0.86
13
0.591
163.1
3.421
-8.1
0.094
-42.5
0.328
-163.9
13.0
0.91
14
0.571
152.9
3.349
-17.4
0.094
-50.9
0.328
-171.3
12.7
0.95
15
0.565
140.1
3.333
-29.6
0.096
-61.1
0.343
179.5
12.7
0.96
16
0.560
125.8
3.349
-44.4
0.098
-74.1
0.351
170.5
12.7
0.98
17
0.533
109.8
3.356
-59.9
0.101
-88.8
0.337
161.8
12.5
1.01
18
0.484
91.2
3.337
-77.0
0.104
-105.1
0.310
151.6
12.1
1.11
Typical Characteristics
S Parameters (Ta=25C , V
DS
=2V , I
D
=10mA )
Noise Parameters (Ta=25C , V
DS
=2V , I
D
=10mA )
f
(GHz)
G opt.
Rn
(
)
NFmin.(dB)
Gs
(dB)
Magn.
Angle
4
0.76
49
12.5
0.31
18.3
8
0.59
95
4.7
0.47
15.9
12
0.48
139
2.3
0.60
13.5
14
0.41
166
1.8
0.69
12.3
18
0.34
-142
1.5
0.88
9.9
MGF4316G MGF4319G
0.24
0.35
0.45
0.50
0.61
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