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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MGF4714CP |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | PLASTIC MOLD PACKAGED LOW NOISE InGaAs HEMT |
| 中文描述： | 塑料模具包裝低噪音銦鎵砷遷移率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 17K |
| 代理商： | MGF4714CP |
MGF4714CP
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR GaAs FET
PLASTIC MOLD PACKAGED LOW NOISE InGaAs HEMT
Nov. ′97
I
D
vs. V
DS
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
0
2.0
5.0
10
20
30
50
40
T
a
=25C
V
GS
=-0.1V/STEP
TYPICAL CHARACTERISTICS
(Ta=25C)
NF & Gs vs. I
D
(f=12GHz)
I
D
(mA)
0
15
0.5
0.9
20
25
0.6
0.7
30
0.8
10
T
a
=25C
V
DS
=2V
I
D
vs. V
GS
GATE TO SOURCE VOLTAGE V
GS
(V)
-1.0
-0.5
0
10
20
30
50
40
0
T
a
=25C
V
DS
=2V
1.0
3.0
4.0
60
V
GS
=0V
1.0
14
13
12
11
10
G
S
NF
5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MGF4914E | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:SUPER LOW MOISE InGaAs HEMT |
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