參數(shù)資料
型號(hào)： MGFC38V5964
廠(chǎng)商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： RECTIFIER BRIDGE 10A 200V 220A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/BOX
中文描述： 5.9 - 6.4GHz的頻段6W內(nèi)部匹配砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 262K
代理商： MGFC38V5964
June/2004
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MGFC38V6472 RECTIFIER BRIDGE 10A 400V 220A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/BOX
MGFC39V5964 5.9 - 6.4GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
MGFC39V5258 Aluminum Electrolytic Radial Lead Low Impedance Capacitor; Capacitance: 1200uF; Voltage: 6.3V; Case Size: 8x15 mm; Packaging: Bulk
MGFC39V5964A 5.9 - 6.4GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
MGFC39V3436 3.4 - 3.6GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MGFC38V5964_11 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:C band internally matched power GaAs FET
MGFC38V5964_97 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:5.9 - 6.4GHz BAND 6W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
MGFC38V6472 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:C band internally matched power GaAs FET
MGFC38V6472_11 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:C band internally matched power GaAs FET
MGFC38V6472_97 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:6.4 - 7.2GHz BAND 6W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
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