參數(shù)資料
型號(hào)： MGFC38V6472
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： RECTIFIER BRIDGE 10A 400V 220A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/BOX
中文描述： 6.4 - 7.2GHz頻段6W內(nèi)部匹配砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 262K
代理商： MGFC38V6472
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <GaAs FET>
MGFC38V5867
5.8 ~ 6.75GHz BAND 6W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
MITSUBISHI
ELECTRIC
June/2004
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MGFC39V5964 5.9 - 6.4GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
MGFC39V5258 Aluminum Electrolytic Radial Lead Low Impedance Capacitor; Capacitance: 1200uF; Voltage: 6.3V; Case Size: 8x15 mm; Packaging: Bulk
MGFC39V5964A 5.9 - 6.4GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
MGFC39V3436 3.4 - 3.6GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
MGFC40V3742A Aluminum Electrolytic Radial Lead Low Impedance Capacitor; Capacitance: 1500uF; Voltage: 6.3V; Case Size: 10x12.5 mm; Packaging: Bulk
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MGFC38V6472_11 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:C band internally matched power GaAs FET
MGFC38V6472_97 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:6.4 - 7.2GHz BAND 6W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
MGFC39V3436 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:C band internally matched power GaAs FET
MGFC39V3436_04 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:3.4 ~ 3.6GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
MGFC39V3436_11 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:C band internally matched power GaAs FET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*