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參數(shù)資料
| 型號： | MGFC41V5964 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 5.9 - 6.4GHz BAND 12W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| 中文描述： | 5.9 - 6.4GHz的波段12瓦內(nèi)部匹配砷化鎵場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 56K |
| 代理商： | MGFC41V5964 |
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <GaAs FET>
MGFC41V5964
5.9-6.4GHz BAND 12W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
TYPICAL CHARACTERISTICS
(Ta=25 DegreesC)
S PARAMETERS
(Ta=25 DegreesC , V
DS
=10V , I
DS
=3.4A)
S Parameters (TYP.)
f
S
11
S
21
S
12
S
22
(GHz)
5.9
6.0
6.1
6.2
6.3
6.4
Magn.
0.37
0.35
0.32
0.29
0.25
0.23
Angle(deg.)
124
105
84
64
38
8
Magn.
2.98
2.94
2.91
2.88
2.86
2.83
Angle(deg.)
-81
-96
-112
-128
-144
-161
Magn.
0.051
0.053
0.058
0.060
0.064
0.066
Angle(deg.)
-131
-145
-163
-177
167
152
Magn.
0.31
0.31
0.30
0.29
0.26
0.22
Angle(deg.)
111
102
94
87
82
81
MITSUBISHI
ELECTRIC
Po,Eadd vs. Pin
20
25
30
35
40
45
15
20
INPUT POWER Pin (dBm)
25
30
35
O
0
20
40
60
80
100
f=6.15GHz
VDS=10V
ID=3.4A
Po
Eadd
P
Po,IM3 vs. Pin
24
26
28
30
32
34
36
17
19
21
23
25
27
O
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
IM3
Po
I
VDS=10V
IDS=3.4A
f=6.4GHz
Delta f=10MHz
2-tone test
P1dB,GLP vs. f
37
38
39
40
41
42
43
5.8
5.9
6.0
FREQUENCY f (GHz)
6.1
6.2
6.3
6.4
6.5
O
6
8
10
12
14
16
18
L
VDS=10V
ID=3.4A
P1dB
GLP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MGFC44V5964 | 5.9-6.4GHz BAND 24W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MGFC41V5964_04 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:5.9 - 6.4GHz BAND 12W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC41V6472 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:6.4 ~ 7.2GHz BAND 12W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC42V3436 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:3.4 - 3.6GHz BAND 16W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC42V3436_04 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:3.4 - 3.6GHz BAND 16W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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