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參數(shù)資料
| 型號： | MGFL45V1920A |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 1.9-2.0GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHD GaAs FET |
| 中文描述： | 1.9 - 2.0GHz的頻段32W國內(nèi)MATCHD砷化鎵場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | MGFL45V1920A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGFL45V1920 | 1.9-2.0GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHD GaAs FET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MGFL45V1920A_04 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1.9 - 2.0GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFL45V1920A_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1.9-2.0 GHz BAND / 32W |
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| MGFL48V1920 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1.9-2.0 GHz BAND / 60W |
| MGFL48V1920_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1.9-2.0 GHz BAND / 60W |
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