參數(shù)資料
型號： MGW12N120
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Insulated Gate Bipolar Transistor
中文描述： 20 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AE
封裝： CASE 340K-01, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： MGW12N120
5
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
Figure 12. Thermal Response
t, TIME (s)
r
T
1.0
0.1
0.01
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.02
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.1
0.2
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PDF描述
MGW20N120 Insulated Gate Bipolar Transistor
MGW20N120 Insulated Gate Bipolar Transistor
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