參數(shù)資料
型號(hào)： MHVIC2114NR2
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
中文描述： 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大?。?/td> 543K
代理商： MHVIC2114NR2
MHVIC2114NR2
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
25 C
30 C
25 C
85 C
25 C
3000
30
40
1000
35
0
S21
f, FEQUENCY (MHz)
Figure 5. Broadband Frequency Response
S
S
S11
30
5
20
10
10
15
0
20
10
25
20
30
2800
2600
2400
2200
2000
1800
1600
1400
1200
V
DD
= 27 Vdc, P
out
= 23 dBm CW
I
DQ1
= 96 mA, I
DQ2
= 204 mA, I
DQ3
= 111 mA
2180
1.2
2.2
2100
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 6. Delay versus Frequency
D
T
C
= 85 C
2.1
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
2110
2120
2130
2140
2150
2160
2170
V
DD
= 27 Vdc, P
out
= 23 dBm CW
I
DQ1
= 96 mA, I
DQ2
= 204 mA, I
DQ3
= 111 mA
30 C
2180
2100
2110
2120
2130
2140
2150
2160
2170
20
40
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 7. Power Gain versus Frequency
Gp
36
32
28
24
V
DD
= 27 Vdc, P
out
= 23 dBm CW
I
DQ1
= 96 mA, I
DQ2
= 204 mA, I
DQ3
= 111 mA
2180
2100
2110
2120
2130
2140
2150
2160
2170
10
18
f, FREQUENCY, (MHz)
Figure 8. Input Return Loss versus Frequency
I
I
16
14
12
V
DD
= 27 Vdc, P
out
= 23 dBm CW
I
DQ1
= 96 mA, I
DQ2
= 204 mA, I
DQ3
= 111 mA
T
C
= 85 C
20
40
15
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 9. Power Gain versus Output Power
Gp
25 C
85 C
T
C
= 30 C
20
25
30
35
40
38
36
34
32
30
28
26
24
22
60
10
15
25 C
85 C
T
C
= 30 C
25
30
35
40
45
20
30
40
50
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 10. S21 Phase versus Output Power
S
V
DD
= 27 Vdc, f = 2140 MHz
I
DQ1
= 96 mA, I
DQ2
= 204 mA, I
DQ3
= 111 mA
V
DD
= 27 Vdc, f = 2140 MHz
I
DQ1
= 96 mA, I
DQ2
= 204 mA, I
DQ3
= 111 mA
1.3
T
C
= 30 C
17
15
11
13
17.5
22.5
27.5
32.5
37.5
20
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