參數(shù)資料
型號(hào)： MHVIC2114NR2
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
中文描述： 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
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代理商： MHVIC2114NR2
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MHVIC2114NR2
TYPICAL CHARACTERISTICS
3rd Order
5th Order
34
65
30
17
2170 MHz
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 11. W-CDMA ACPR versus Output Power
A
V
DD
= 27 Vdc
3GPP Test Model 1
64 DPCH
2110 MHz
2140 MHz
18
20
22 23
25
27
29
31 32
35
40
45
55
50
60
2300
90
20
2000
I
DQ3
= 100 mA
122 mA
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 12. Two-Tone Intermodulation
Distortion Products versus Frequency
I
V
DD
= 27 Vdc
P
out
= 23 dBm TwoTone Avg.
Tone Spacing = 100 kHz
2250
2200
2150
2100
2050
30
50
40
60
80
100 mA
111 mA
110
80
10
0
3rd Order
TONE SPACING (MHz)
Figure 13. Two-Tone Intermodulation Distortion
Products versus Tone Spacing
I
I
V
DD
= 27 Vdc, f = 2140 MHz
P
out
= 7.5 W, TwoTone Avg.
I
DQ1
= 96 mA, I
DQ2
= 204 mA, I
DQ3
= 111 mA
7th Order
20
30
40
50
60
70
30
10
60
80
100
3.25
7
40
V
BIAS1
T, TEMPERATURE (C)
Figure 14. Fixture Bias versus Temperature
V
DD
= 27 Vdc, f = 2140 MHz
R1 = R2 = R3 = 1000 Ohms
20
0
20
40
60
80
6.75
6.5
6.25
6
5.75
5.5
5.25
5
4.75
4.5
4.25
4
3.75
3.5
V
B
,
V
BIAS3
T, TEMPERATURE (C)
Figure 15. Gate Bias versus Temperature
100
3.5
4.5
40
V
GS1
& V
GS2
V
DD
= 27 Vdc, f = 2140 MHz
R1 = R2 = R3 = 1000 Ohms
30 20 10
0
10
20
30
40
50
60 70
80 90
4.4
4.3
4.2
4.1
4
3.9
3.8
3.7
3.6
V
G
,
V
GS3
0
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
I
G
,
I
GS1
& I
GS2
I
GS3
33
30
28
26
24
21
19
122 mA
111 mA
70
5th Order
20
50
40
70
90
100
3
V
BIAS2
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PDF描述
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