參數(shù)資料
型號： MJ15021
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 4.0 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 200 AND 250 VOLTS 150 WATTS
中文描述： 4 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 135K
代理商： MJ15021
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
OFF CHARACTERISTICS
Collector Cutoff Current
MJ15020, MJ15021
250
—
—
500
μ
Adc
Second Breakdown Collector Current with Base Forward–Biased
ON CHARACTERISTICS (1)
3.0
—
Adc
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 V)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
10
—
—
1.0
Vdc
Base–Emitter on Voltage
VBE(on)
—
2.0
Vdc
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, Ftest = 1.0 MHz)
(1) Pulse Test: Pulse Width
300
s, Duty Cycle
—
500
pF
2%
Figure 2. DC Current Gain
Figure 3. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
I
5.0
3.0
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
7.0
10
500
10
2.0
5.0
100
200
20
30
1.0
0.7
0.5
0.3
0.02
0.2
WIRE BOND LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN
LIMIT
300
1.0
3.0
5.0
10
0.1
0.2
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h
TJ = 25
°
C
VCE = 4.0 Vdc
50
100
70
20
2.0
200
MJ15018/19
MJ15020/21
TC = 25
°
C
PNP
50
70
2.0
7.0
0.3
0.7
30
10
7.0
5.0
3.0
0.1
0.07
0.05
0.03
0.01
NPN
TYPICAL DYNAMIC CHARACTERISTICS
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