參數(shù)資料
型號(hào)： MJB32B
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： PNP SILICON POWER TRANSISTOR
中文描述： 進(jìn)步黨硅功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 122K
代理商： MJB32B
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
3.12
62.5
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CEO
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE
Base-Emitter Voltage
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= -60 V
-50
μ
A
I
CES
V
CE
= -80 V
-20
μ
A
I
EBO
V
EB
= -5 V
-0.1
mA
I
C
= -30 mA
-80
V
I
C
= -3 A I
B
= -375 mA
-1.2
V
I
C
= -3 A V
CE
= -4 V
-1.8
V
I
C
= -1 A V
CE
= -4 V
I
C
= -3 A V
CE
= -4 V
I
C
= -0.5 A V
CE
= -10 V f = 1 KHz
I
C
= -0.5 A V
CE
= -10 V f = 1 MHz
25
10
50
h
fe
Small Signall Current
Gain
20
3
Pulsed : pulse duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
2%
Safe Operating Area
Derating Curves
MJB32B
2/5
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