參數(shù)資料
型號： MJD210
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Complementary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管)
中文描述： 互補硅功率晶體管（互補硅功率晶體管）
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： MJD210
MJD200
MJD210
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
I
STM PREFERRED SALESTYPES
I
COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES
I
SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL
(SUFFIX T4)
APPLICATIONS
I
AUDIO AMPLIFIERS
DESCRIPTION
The MJD200 is an Epitaxial-Base NPN transistor
designed for low voltage, low power, high gain,
audio amplifier applications.
The complementary PNP type is MJD210.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1998
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
MJD200
MJD210
40
25
8
5
10
12.5
-65 to 150
150
Unit
NPN
PNP
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Total Power Dissipation at T
case
≤
25
o
C
Storage Temperature
Max Operating Junction Temperature
For PNP types voltage and current values are negative.
V
V
V
A
A
W
o
C
o
C
DPAK
TO-252
(Suffix "T4")
1
3
1/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD29C General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
MJD29 NPN Epitaxial Silicon Transistor(NPN硅外延晶體管)
MJD31B COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJD31C COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJD32B COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
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參數(shù)描述
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MJD210G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MJD210G-TM3-T 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS
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