參數(shù)資料
型號(hào)： MJD112
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
中文描述： 互補(bǔ)性的芯片功率達(dá)林頓晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 306K
代理商： MJD112
4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
V
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
NPN MJD112
PNP MJD117
Figure 7. DC Current Gain
Figure 8. Collector Saturation Region
Figure 9. “On Voltages
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
300
0.06
0.2
2 k
800
4 k
h
VCE = 3 V
TJ = 125
°
C
3 k
0.1
0.6
25
°
C
–55
°
C
1 k
0.4
1
6 k
400
600
2
4
0.04
300
0.06
0.2
2 k
800
4 k
h
3 k
0.1
0.6
25
°
C
–55
°
C
1 k
0.4
1
6 k
400
600
2
4
3.4
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.6
0.1
0.2
0.5
10
2
5
IC =
0.5 A
1 A
1
3
1
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.4
1
V
2.2
1.8
0.6
0.2
TJ = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 3 V
VCE(sat) @ IC/IB = 250
0.06
0.2
2
0.1
0.6
0.4
1
4
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.4
1
V
2.2
1.8
0.6
0.2
TJ = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
0.06
0.2
2
0.1
0.6
0.4
1
4
20
50
100
3.4
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.6
0.1
0.2
0.5
10
2
5
1
3
1
20
50
100
VBE @ VCE = 3 V
TC = 125
°
C
VCE = 3 V
4 A
TJ = 125
°
C
2 A
TJ = 125
°
C
IC =
0.5 A
1 A
4 A
2 A
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
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PDF描述
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