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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJD117-1 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/6頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MJD117-1 |
MJD112 MJD117
6
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 369A–13
ISSUE W
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
1
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4
V
S
A
K
–T–
SEATING
PLANE
R
B
F
G
D 3 PL
M
0.13 (0.005)
T
C
E
J
H
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.235
0.250
5.97
6.35
B
0.250
0.265
6.35
6.73
C
0.086
0.094
2.19
2.38
D
0.027
0.035
0.69
0.88
E
0.033
0.040
0.84
1.01
F
0.037
0.047
0.94
1.19
G
0.090 BSC
2.29 BSC
H
0.034
0.040
0.87
1.01
J
0.018
0.023
0.46
0.58
K
0.350
0.380
8.89
9.65
R
0.175
0.215
4.45
5.46
S
0.050
0.090
1.27
2.28
V
0.030
0.050
0.77
1.27
CASE 369–07
ISSUE K
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
D
A
K
B
R
V
S
F
L
G
2 PL
M
0.13 (0.005)
T
E
C
U
J
H
–T– SEATING
PLANE
Z
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.235
0.250
5.97
6.35
B
0.250
0.265
6.35
6.73
C
0.086
0.094
2.19
2.38
D
0.027
0.035
0.69
0.88
E
0.033
0.040
0.84
1.01
F
0.037
0.047
0.94
1.19
G
0.180 BSC
4.58 BSC
H
0.034
0.040
0.87
1.01
J
0.018
0.023
0.46
0.58
K
0.102
0.114
2.60
2.89
L
0.090 BSC
2.29 BSC
R
0.175
0.215
4.45
5.46
S
0.020
0.050
0.51
1.27
U
0.020
–––
0.51
–––
V
0.030
0.050
0.77
1.27
Z
0.138
–––
3.51
–––
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
1
2
3
4
How to reach us:
USA / EUROPE: Motorola Literature Distribution;
JAPAN: Nippon Motorola Ltd.; Tatsumi–SPD–JLDC, Toshikatsu Otsuki,
P.O. Box 20912; Phoenix, Arizona 85036. 1–800–441–2447
6F Seibu–Butsuryu–Center, 3–14–2 Tatsumi Koto–Ku, Tokyo 135, Japan. 03–3521–8315
MFAX: RMFAX0@email.sps.mot.com – TOUCHTONE (602) 244–6609
HONG KONG: Motorola Semiconductors H.K. Ltd.; 8B Tai Ping Industrial Park,
INTERNET: http://Design–NET.com
51 Ting Kok Road, Tai Po, N.T., Hong Kong. 852–26629298
MJD112/D
*MJD112/D*
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD117T4 | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD112-1 | 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD117 | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD117 | 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MJD122-1 | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJD117-1G | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJD117G | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJD117G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MJD117-I | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:D-PAK for Surface Mount Applications |
| MJD117ITU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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