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參數(shù)資料
| 型號： | MJD117 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | MJD117 |
2003. 3. 27
1/2
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
MJD117/L
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
Revision No : 4
MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN
BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.
FEATURES
High DC Current Gain.
: hFE=1000(Min.),
VCE=-4V, IC=-1A.
Low Collector-Emitter Saturation Voltage.
Straight Lead (IPAK, "L" Suffix)
Complementary to MJD112/L.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
DPAK
DIM
MILLIMETERS
A
B
C
D
F
H
I
J
K
L
6.60 0.2
6.10 0.2
5.0 0.2
1.10 0.2
2.70 0.2
2.30 0.1
1.00 MAX
2.30 0.2
0.5 0.1
2.00 0.20
0.50 0.10
E
0.91 0.10
M
0.90 0.1
O
A
C
D
B
E
K
I
J
Q
H
F
M
O
P
L
12
3
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
1.00 0.10
P
0.95 MAX
Q
+_
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector-Emitter Sustaining Voltage
VCEO(SUS)
IC=-30mA, IB=0
-100
-
V
Collector Cut-off Current
ICEO
VCE=-50V, IB=0
-
-20
A
ICBO
VCB=-100V, IE=0
-
-20
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB=-5V, IC=0
-
-2
mA
DC Current Gain
hFE
VCE=-3V, IC=-0.5A
500
-
VCE=-3V, IC=-2A
1,000
12,000
-
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=-2A, IB=-8mA
-
-2.0
V
Base-Emitter On Voltage
VBE(ON)
VCE=-3V, IC=-2A
-
-2.8
V
Current Gain Bandwidth Product
fT
VCE=-10V, IC=0.75A, f=1MHz
25
-
MHz
Collector Output Capacitance
Cob
VCB=-10V, IE=0, f=0.1MHz
-
200
pF
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
-100
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-100
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
-5
V
Collector Current
DC
IC
-2
A
Pulse
-4
Base Current
DC
IB
-50
mA
Collector Power
Dissipation
Ta=25
PC
1.0
W
Tc=25
20
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature Range
Tstg
-55 150
C
B
E
R
10k
0.6k
R
1
2
=
DIM
MILLIMETERS
IPAK
D
B
Q
E
H
F
C
A
P
L
I
J
123
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
L
P
Q
6.60 0.2
6.10 0.2
5.0 0.2
1.10 0.2
9.50 0.6
2.30 0.1
0.76 0.1
1.0 MAX
2.30 0.2
0.5 0.1
0.50 0.1
1.0 0.1
0.90 MAX
G
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
K
2.0 0.2
K
+_
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD122-1 | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251AA |
| MJD122-I | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD1222 | 3000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MJD122 | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD127-T1 | 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MJD117-001G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans Darlington PNP 100V 2A 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Rail |
| MJD117-1G | 功能描述:達林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJD117G | 功能描述:達林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJD117G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
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