參數(shù)資料
型號： MJD117
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 0K
代理商： MJD117
2003. 3. 27
2/2
MJD117/L
Revision No : 4
SATURATION
VOLTAGE
CE(sat)
COLLECTOR CURRENT I
(A)
C
V
, V
- I
CE(sat)
C
V
,V
(V)
-0.1
-0.5
-0.3
-0.03
-0.01
-0.1
-1
-3
-0.3
-1
-3 -5
-10
I /I =250
-5
C
VBE(sat)
VCE(sat)
B
BE(sat)
COLLECTOR-BASE VOLTAGE V
(V)
CB
ob
C
- V
CAPACITANCE
C
(pF)
ob
100
DC
CURRENT
GAIN
h
50
FE
-0.3
-0.1
-0.03
-0.01
COLLECTOR CURRENT I
(mA)
C
h
- I
FE
C
-1
-3 -5
300
500
1k
3k
5k
V =-3V
CE
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-30 -50
10
30
50
100
300
500
P - Ta
C
CASE TEMPERATURE Ta ( C)
0
C
0
POWER
DISSIPATION
P
(W)
50
100
150
200
5
10
15
20
25
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
(V)
SAFE OPERATING AREA
COLLECTOR
CURRENT
I
(A)
-1
-0.01
C
CE
-3
-10
-30
-100 -200
-0.03
-0.05
-0.1
-0.3
-0.5
-1
-3
-5
-10
SINGLE NONREPETIVE
PULSE Tc=25 C
CURVES MUST BE DREATED
LINEARLY WITH INCREASE
IN TEMPERATURE
*
I MAX.(PULSED) *
C
I MAX.
(CONTINUOUS)
C
DC OPERATION
100
S*
500
S*
1mS*
5mS*
Tc=25 C
Ta=25 C
1
2
1
2
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