參數(shù)資料
型號(hào)： MJD117T4
廠商： MOTOROLA INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
代理商： MJD117T4
MJD112 MJD117
5
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
NPN MJD112
PNP MJD117
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.06
0.2
0
*APPLIED FOR IC/IB < hFE/3
0.1
0.6
– 55
°C TO 25°C
0.4
1
– 4.8
2
4
104
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10–1
0
– 0.4
,COLLECT
OR
CURRENT
(
A)
I C
103
102
101
100
+ 0.2 + 0.4 + 0.6
TJ = 150°C
100
°C
REVERSE
FORWARD
25
°C
VCE = 30 V
105
– 0.6
– 0.2
+ 0.8
+ 1
+ 1.2 + 1.4
104
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10–1
0
+ 0.4
,COLLECT
OR
CURRENT
(
A)
I C
103
102
101
100
– 0.2 – 0.4 – 0.6
105
+ 0.6
+ 0.2
– 0.8
– 1
– 1.2 – 1.4
+ 0.8
– 4
– 3.2
– 2.4
– 1.6
– 0.8
θVC FOR VBE
25
°C TO 150°C
25
°C TO 150°C
*
θVC FOR VCE(sat)
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.06
0.2
0.1
0.6
0.4
1
2
4
Figure 10. Temperature Coefficients
Figure 11. Collector Cut–Off Region
Figure 12. Darlington Schematic
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈ 8 k
≈ 120
PNP
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈ 8 k
≈ 120
NPN
0
– 4.8
+ 0.8
– 4
– 3.2
– 2.4
– 1.6
– 0.8
V
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
V
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
– 55
°C TO 25°C
*APPLIES FOR IC/IB < hFE/3
*
θVC FOR VCE(sat)
θVB FOR VBE
25
°C TO 150°C
– 55
°C TO 25°C
25
°C TO 150°C
– 55
°C TO 25°C
VCE = 30 V
REVERSE
FORWARD
TJ = 150°C
100
°C
25
°C
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PDF描述
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