型號(hào): | MJD122-1 |
廠商: | MOTOROLA INC |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT |
中文描述: | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
文件頁(yè)數(shù): | 7/8頁(yè) |
文件大?。?/td> | 284K |
代理商: | MJD122-1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MJD122T4 | SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT |
MJD122 | Complementary Darlington Power Transistors |
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MJD243T4G | Complementary Silicon Plastic Power Transistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MJD122G | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
MJD122G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON 100V 8A D-PAK 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, DARLINGTON, 100V, 8A, D-PAK 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, DARLINGTON, 100V, 8A, D-PAK, Transistor Polarity:NPN, Collector Emit |
MJD122T4 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
MJD122T4G | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
MJD122T4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR NPN 100V D-PAK |