型號: | MJD127-TP |
廠商: | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | POWER TRANSISTOR |
封裝: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3 |
文件頁數(shù): | 2/3頁 |
文件大?。?/td> | 0K |
代理商: | MJD127-TP |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MJD2955-1 | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD3055-1 | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD2955-1 | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD29CTF | 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
MJD29CI | 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MJD128 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Darlington Power Transistor |
MJD128T4 | 功能描述:TRANS DARL PNP 8A 120V DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
MJD128T4G | 功能描述:達林頓晶體管 BIP PNP 8A 120V TR RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
MJD13003 | 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:NPN SILICON PLASTIC POWER TRANSISTOR |
MJD148 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Power Transistor |